- Produkttyp
- MOSFET733IGBT2MOSFET/IGBT-Set1Transistor - JFET1
- Pris
- Varumärke
- Infineon Technologies350Vishay136Taiwan Semiconductor94STMicroelectronics75ON Semiconductor55DIODES Incorporated12Diotec7IXYS3MCC3Kemo1Littelfuse1
- Prestanda (max) P(TOT)
- 225 mW2350 mW70.35 W1360 mW70.36 W6400 mW2500 mW1540 mW2700 mW1710 mW1800 mW1830 mW2900 mW11 W21.0 W11.1 W11.25 W51.3 W121.4 W41.5 W11.6 W11.7 W31.78 W11.8 W101.9 W12.0 W162.1 W52.3 W12.4 W12.5 W202.8 W13.1 W63.75 W13.8 W54.2 W25 W75.7 W26 W36.3 W16.6 W17.8 W120 W125 W529 W130 W231 W232 W134 W335 W136 W238 W240 W941 W141.7 W142 W943 W544 W145 W1348 W650 W551 W154 W360 W563 W166 W368 W870 W471 W374 W675 W578 W179 W580 W382 W283 W488 W290 W691 W192 W194 W295 W298 W199 W3100 W2101 W1107 W1110 W28115 W2120 W4125 W22128 W1130 W8131 W1135 W2140 W16143 W2144 W5150 W17151 W4156 W1160 W10170 W9176 W3178 W1180 W4190 W11200 W16208 W4214 W1220 W1227 W1230 W20231 W1235 W1245 W1250 W4277 W1278 W2280 W7290 W1294 W4298 W1300 W15310 W4312 W1312.5 W1320 W2330 W4333 W1340 W1341 W4350 W3360 W1370 W8375 W16380 W6390 W1391 W1460 W1470 W1481 W2517 W1520 W1580 W1595 W11040 W1
- R(DS)(on) referensström
- -3 A1-4 A10.1 mA10.1 A1120 mA1170 mA2190 mA1200 mA3220 mA2330 mA1400 mA10.416666666666667 A1500 mA5660 mA1910 mA1930 mA11.2 A21.25 A11.4 A11.5 A31.6 A11.9 A22 A12.2 A22.3 A12.4 A12.5 A32.6 A12.7 A22.75 A12.8 A22.9 A23 A13.1 A23.3 A13.4 A23.5 A13.6 A23.7 A24 A24.1 A24.2 A14.3 A24.5 A24.8 A35 A15.2 A15.4 A25.5 A35.7 A15.8 A16 A26.3 A16.6 A37.2 A38.4 A58.5 A18.6 A19 A29.2 A19.6 A110 A611 A712 A513 A313.5 A114 A115 A316 A717 A318 A321 A122 A323 A323.5 A124 A325 A425.5 A126 A128 A430 A331 A132 A133 A335 A438 A240 A441 A142 A144 A245 A246 A347 A149 A150 A352 A156 A157 A158 A159 A160 A262 A265 A166 A170 A275 A1676 A178 A1100 A9101 A1110 A2121 A1125 A1165 A1170 A1180 A1195 A2
- U(DSS)
- -100 V2-30 V2-60 V2-200 V1-50 V112 V120 V1124 V125 V330 V1640 V1250 V555 V2560 V4565 V175 V7100 V44150 V8200 V24250 V6300 V3400 V10500 V23600 V13800 V3900 V11000 V3
- Kapsling
- Monteringssätt
- Utförande
- R(DS)(on)
- C(ISS)
- U(GS)(th) max.
- Förpackningstyp
- Certifieringar
- Ofta sökta kategorier:
- Erbjudanden
Mosfet
737 ResultatInformation | Pris | Tillgänglighet | Kapsling | R(DS)(on) | Prestanda (max) P(TOT) | Monteringssätt | Utförande | U(GS)(th) max. | C(ISS) | R(DS)(on) referensström | U(DSS) | Förpackningstyp | Certifieringar | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 Enligt figur Infineon Technologies IRFP054NPBF MOSFET 1 N-Kanal 170 W TO-247ACConrad Electronic exkl. moms 9 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. Min: 5 | TO-247AC | 0.012 Ω | 170 W | Genomföringshål | N-Kanal | - | - | - | - | - | - | |||
 Enligt figur Infineon Technologies IRFB3077PBF MOSFET 1 N-Kanal 370 W TO-220ABConrad Electronic exkl. moms 165 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. | TO-220AB | 3.3 mΩ | 370 W | Genomföringshål | N-Kanal | 4 V | 9400 pF | 75 A | 75 V | - | - | |||
 Enligt figur Infineon Technologies IRFB4110PBF MOSFET 1 N-Kanal 370 W TO-220ABConrad Electronic exkl. moms 92 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. | TO-220AB | 4.5 mΩ | 370 W | Genomföringshål | N-Kanal | 4 V | 9620 pF | 75 A | 100 V | - | - | |||
 Enligt figur exkl. moms 4204 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. Min: 3 | TO-220 | 22 mΩ | 110 W | Genomföringshål | IGBT prestandadrivmodul | 2 V | 1700 pF | 25 A | 55 V | - | - | |||
 Enligt figur Infineon Technologies IRFZ44NPBF MOSFET 1 N-Kanal 94 W TO-220Conrad Electronic exkl. moms 844 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. Min: 2 | TO-220 | 17.5 mΩ | 94 W | Genomföringshål | N-Kanal | 4 V | 1470 pF | 25 A | 55 V | - | - | |||
Vishay IRFP054PBF MOSFET 1 N-Kanal 230 W TO-247AC TubeConrad Electronic exkl. moms 7 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. | TO-247AC | 0.014 Ω | 230 W | Genomföringshål | N-Kanal | - | - | - | - | Tube | - | |||
exkl. moms 99 stycken i lager Leverans tis. 29 sep. | TO-220-FULLPAK | 0.6 Ω | 32 W | Genomföringshål | N-Kanal | - | - | - | - | - | - | |||
 Enligt figur Infineon Technologies IRFP250NPBF MOSFET 1 N-Kanal 214 W TO-247Conrad Electronic exkl. moms 151 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. | TO-247 | 75 mΩ | 214 W | Genomföringshål | N-Kanal | 4 V | 2159 pF | 18 A | 200 V | - | - | |||
 Enligt figur Taiwan Semiconductor TSM480P06CP ROG MOSFET TO-252 Tape on Full reelConrad Electronic 6,00 kr exkl. moms 35 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. Min: 3 | TO-252 | - | - | Kretskortsmontage | - | - | - | - | - | Tape on Full reel | RoHS | |||
 Enligt figur Infineon Technologies IRLR8743PBF MOSFET 1 N-Kanal 135 W D-PAKConrad Electronic exkl. moms 3041 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. Min: 2 | D-PAK | 3.1 mΩ | 135 W | Ytmontering | N-Kanal | 2.35 V | 4880 pF | 25 A | 30 V | - | - | |||
Infineon Technologies IRF9540NSPBF-GURT MOSFET 1 P-Kanal 110 W D2PAKConrad Electronic exkl. moms 21 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. | D2PAK | 0.117 Ω | 110 W | Ytmontering | P-Kanal | - | - | - | - | - | - | |||
 Enligt figur Infineon Technologies IRFB4227PBF MOSFET 1 N-Kanal 330 W TO-220ABConrad Electronic exkl. moms 63 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. | TO-220AB | 24 mΩ | 330 W | Genomföringshål | N-Kanal | 5 V | 4600 pF | 46 A | 200 V | - | - | |||
 Enligt figur STMicroelectronics STP110N10F7 MOSFET 1 N-Kanal 150 W TO-220Conrad Electronic exkl. moms 520 stycken i lager Leverans tis. 29 sep. Min: 10Multipla: 10 | TO-220 | 0.007 Ω | 150 W | Genomföringshål | N-Kanal | - | - | - | - | - | - | |||
 Enligt figur Infineon Technologies IRLB8748PBF MOSFET 1 N-Kanal 75 W TO-220ABConrad Electronic exkl. moms 554 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. Min: 3 | TO-220AB | 4.8 mΩ | 75 W | Genomföringshål | N-Kanal | 2.35 V | 2139 pF | 40 A | 30 V | - | - | |||
 Enligt figur Infineon Technologies IRFB7440PBF MOSFET 1 N-Kanal 143 W TO-220Conrad Electronic exkl. moms 730 stycken i lager Leverans tis. 29 sep. Min: 10 | TO-220 | 2.5 mΩ | 143 W | Genomföringshål | N-Kanal | 3.9 V | 4730 pF | 100 A | 40 V | - | - | |||
exkl. moms 1340 stycken i lager Leverans tis. 29 sep. Min: 10Multipla: 10 | D2PAK | 0.0014 Ω | 231 W | Ytmontering | N-Kanal | - | - | - | - | - | - | |||
 Enligt figur STMicroelectronics STP65NF06 MOSFET 1 N-Kanal 110 W TO-220Conrad Electronic exkl. moms 200 stycken i lager Leverans tis. 29 sep. Min: 10Multipla: 10 | TO-220 | 0.014 Ω | 110 W | Genomföringshål | N-Kanal | - | - | - | - | - | - | |||
 Enligt figur Infineon Technologies IRF3710SPBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W D2PAKConrad Electronic 9,52 kr exkl. moms 568 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. | D2PAK | 23 mΩ | 200 W | Ytmontering | N-Kanal | 4 V | 3130 pF | 28 A | 100 V | - | - | |||
 Enligt figur Infineon Technologies IRLB3034PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220ABConrad Electronic exkl. moms 619 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. | TO-220AB | 1.7 mΩ | 375 W | Genomföringshål | N-Kanal | 2.5 V | 10315 pF | 195 A | 40 V | - | - | |||
 Enligt figur Infineon Technologies IRFZ24NPBF MOSFET 1 N-Kanal 45 W TO-220Conrad Electronic exkl. moms 233 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. Min: 3 | TO-220 | 70 mΩ | 45 W | Genomföringshål | N-Kanal | 4 V | 370 pF | 10 A | 55 V | - | - | |||
 Enligt figur Infineon Technologies IRF3710 MOSFET 1 N-Kanal 160 W TO-220ABConrad Electronic exkl. moms 35 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. | TO-220AB | 18 mΩ | 160 W | Ytmontering | N-Kanal | 4 V | 2900 pF | 35 A | 100 V | - | - | |||
 Enligt figur Infineon Technologies IRLB3813PBF MOSFET 1 N-Kanal 230 W TO-220ABConrad Electronic exkl. moms 74 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. | TO-220AB | 1.95 mΩ | 230 W | Genomföringshål | N-Kanal | 2.35 V | 8420 pF | 60 A | 30 V | - | - | |||
exkl. moms 5450 stycken i lager Leverans tis. 29 sep. Min: 50Multipla: 50 | SOIC-8 | 0.041 Ω | 2.5 W | Ytmontering | P-Kanal | - | - | - | - | Tape on Full reel | - | |||
exkl. moms 1800 stycken i lager Leverans tis. 29 sep. Min: 50Multipla: 50 | TO-252AA | 0.009 Ω | 90 W | Genomföringshål | N-Kanal | - | - | - | - | - | - | |||
 Enligt figur ON Semiconductor 2N7000 MOSFET 1 N-Kanal 400 mW TO-92Conrad Electronic exkl. moms 7489 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. Min: 7 | TO-92 | 5 Ω | 400 mW | Genomföringshål | N-Kanal | 3 V | 50 pF | 500 mA | 60 V | - | - | |||
 Enligt figur Infineon Technologies IRFP3703PBF MOSFET 1 N-Kanal 3.8 W TO-247Conrad Electronic exkl. moms 717 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. | TO-247 | 2.8 mΩ | 3.8 W | Genomföringshål | N-Kanal | 4 V | 8250 pF | 76 A | 30 V | - | - | |||
 Enligt figur Vishay IRF740PBF MOSFET 1 N-Kanal 125 W TO-220Conrad Electronic exkl. moms 149 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. | TO-220 | 550 mΩ | 125 W | Genomföringshål | N-Kanal | 4 V | 1400 pF | 6 A | 400 V | - | - | |||
 Enligt figur Infineon Technologies IRLML2803TRPBF MOSFET 1 N-Kanal 540 mW SOT-23Conrad Electronic exkl. moms 295 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. Min: 15 | SOT-23 | 250 mΩ | 540 mW | Ytmontering | N-Kanal | 1 V | 85 pF | 910 mA | 30 V | - | - | |||
 Enligt figur Infineon Technologies IRF1404PBF MOSFET 1 N-Kanal 333 W TO-220ABConrad Electronic exkl. moms 168 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. | TO-220AB | 4 mΩ | 333 W | Genomföringshål | N-Kanal | 4 V | 5669 pF | 121 A | 40 V | - | - | |||
 Enligt figur ON Semiconductor FDS8858CZ MOSFET 1 N-Kanal, P-Kanal 900 mW SOIC-8Conrad Electronic exkl. moms 16 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. | SOIC-8 | 17 mΩ | 900 mW | Ytmontering | N-Kanal, P-Kanal | 3 V | 1205 pF | 8.6 A | 30 V | - | - | |||
 Enligt figur ON Semiconductor BS170 MOSFET 1 N-Kanal 350 mW TO-92Conrad Electronic exkl. moms 2760 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. Min: 15 | TO-92 | 5 Ω | 350 mW | Genomföringshål | N-Kanal | 3 V | 60 pF | 200 mA | 60 V | - | - | |||
exkl. moms 298 stycken i lager Leverans tis. 29 sep. | TO-220-FULLPAK | 0.18 Ω | 29 W | Genomföringshål | N-Kanal | - | - | - | - | - | - | |||
 Enligt figur Infineon Technologies IRFB7437PBF MOSFET 1 N-Kanal 230 W TO-220Conrad Electronic exkl. moms 94 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. | TO-220 | 2 mΩ | 230 W | Genomföringshål | N-Kanal | 3.9 V | 7330 pF | 100 A | 40 V | - | - | |||
 Enligt figur Infineon Technologies IRFB7537PBF MOSFET 1 N-Kanal 230 W TO-220ABConrad Electronic exkl. moms 230 stycken i lager Leverans tis. 29 sep. Min: 10Multipla: 10 | TO-220AB | 3.3 mΩ | 230 W | Genomföringshål | N-Kanal | 3.7 V | 7020 pF | 100 A | 60 V | - | - | |||
 Enligt figur Infineon Technologies IRF1404ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220ABConrad Electronic exkl. moms 105 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. | TO-220AB | 3.7 mΩ | 200 W | Genomföringshål | N-Kanal | 4 V | 4340 pF | 75 A | 40 V | - | - | |||
Infineon Technologies IRF9530NSPBF-GURT MOSFET 1 P-Kanal 79 W D2PAKConrad Electronic exkl. moms 25 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. | D2PAK | 0.2 Ω | 79 W | Ytmontering | P-Kanal | - | - | - | - | - | - | |||
 Enligt figur ON Semiconductor FQP27P06 MOSFET 1 P-Kanal 120 W TO-220-3Conrad Electronic exkl. moms 145 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. | TO-220-3 | 70 mΩ | 120 W | Genomföringshål | P-Kanal | 4 V | 1400 pF | 13.5 A | 60 V | - | - | |||
Infineon Technologies IRLZ44NSPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 110 W D2PAKConrad Electronic exkl. moms 275 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. | D2PAK | 0.035 Ω | 110 W | Ytmontering | N-Kanal | - | - | - | - | - | - | |||
 Enligt figur Infineon Technologies IRFB5615PBF MOSFET 1 N-Kanal 144 W TO-220ABConrad Electronic exkl. moms 970 stycken i lager Leverans tis. 29 sep. Min: 10Multipla: 10 | TO-220AB | 0.039 Ω | 144 W | Genomföringshål | N-Kanal | - | - | - | - | - | - | |||
 Enligt figur ON Semiconductor RFP50N06 MOSFET 1 N-Kanal 131 W TO-220ABConrad Electronic exkl. moms 278 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. | TO-220AB | 22 mΩ | 131 W | Genomföringshål | N-Kanal | 4 V | 2020 pF | 50 A | 60 V | - | - | |||
 Enligt figur Infineon Technologies IRFB4127PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220ABConrad Electronic exkl. moms 1010 stycken i lager Leverans tis. 29 sep. Min: 10Multipla: 10 | TO-220AB | 20 mΩ | 375 W | Genomföringshål | N-Kanal | 5 V | 5380 pF | 44 A | 200 V | - | - | |||
 Enligt figur Infineon Technologies IRFB7730PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220ABConrad Electronic exkl. moms 150 stycken i lager Leverans tis. 29 sep. Min: 10Multipla: 10 | TO-220AB | 0.0026 Ω | 375 W | Genomföringshål | N-Kanal | - | - | - | - | - | - | |||
 exkl. moms Okänd leveranstid Min: 10 | TO-92 | - | - | - | N-Kanal | - | - | - | - | - | RoHS | |||
 Enligt figur Vishay IRFP460PBF MOSFET 1 N-Kanal 280 W TO-247Conrad Electronic exkl. moms 232 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. | TO-247 | 270 mΩ | 280 W | Genomföringshål | N-Kanal | 4 V | 4200 pF | 12 A | 500 V | - | - | |||
 Enligt figur STMicroelectronics STP6NK90Z MOSFET 1 N-Kanal 140 W TO-220Conrad Electronic exkl. moms 2150 stycken i lager Leverans tis. 29 sep. Min: 10Multipla: 10 | TO-220 | 2 Ω | 140 W | Genomföringshål | N-Kanal | - | - | - | - | - | - | |||
 Enligt figur STMicroelectronics STP16NF06 MOSFET 1 N-Kanal 45 W TO-220 TubeConrad Electronic exkl. moms 62 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. | TO-220 | 0.1 Ω | 45 W | Genomföringshål | N-Kanal | 20 V | 315 pF | 16 A | 60 V | Tube | RoHS | |||
exkl. moms 33 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. Min: 5 | TO-252AA | 0.008 Ω | 75 W | Genomföringshål | N-Kanal | - | - | - | - | - | - | |||
 Enligt figur Infineon Technologies IRF9540NPBF MOSFET 1 P-Kanal 140 W TO-220Conrad Electronic exkl. moms 67 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. Min: 2 | TO-220 | 117 mΩ | 140 W | Genomföringshål | P-Kanal | 4 V | 1300 pF | 11 A | 100 V | - | - | |||
 Enligt figur Infineon Technologies IRLML6402TRPBF MOSFET 1 P-Kanal 1.3 W SOT-23Conrad Electronic exkl. moms 1307 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. Min: 20 | SOT-23 | 65 mΩ | 1.3 W | Ytmontering | P-Kanal | 1.2 V | 633 pF | 3.7 A | 20 V | - | - | |||
 Enligt figur Infineon Technologies IRFB3006PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220ABConrad Electronic exkl. moms 76 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. | TO-220AB | 2.5 mΩ | 375 W | Genomföringshål | N-Kanal | 4 V | 8970 pF | 170 A | 60 V | - | - | |||
 Enligt figur Infineon Technologies SPW20N60S5 MOSFET 1 N-Kanal 208 W TO-247Conrad Electronic -29% exkl. moms 250 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. | TO-247 | 190 mΩ | 208 W | Genomföringshål | N-Kanal | 5.5 V | 3000 pF | 13 A | 600 V | - | - | |||
 Enligt figur STMicroelectronics STP60NF10 MOSFET 1 N-Kanal 300 W TO-220Conrad Electronic exkl. moms 10 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. Min: 10Multipla: 10 | TO-220 | 0.023 Ω | 300 W | Genomföringshål | N-Kanal | - | - | - | - | - | - | |||
exkl. moms 2200 stycken i lager Leverans tis. 29 sep. Min: 25Multipla: 25 | SOIC-8 | 0.0105 Ω | 6.6 W | Ytmontering | P-Kanal | - | - | - | - | Tape on Full reel | - | |||
exkl. moms Okänd leveranstid Min: 50Multipla: 50 | SOIC-8 | 0.14 Ω | 1.78 W | Ytmontering | N-Kanal, P-Kanal | - | - | - | - | Tape on Full reel | - | |||
exkl. moms Okänd leveranstid Min: 50Multipla: 50 | SOIC-8 | 0.031 Ω | 1.7 W | Ytmontering | N-Kanal | - | - | - | - | Tape on Full reel | - | |||
STMicroelectronics STB80NF10T4 MOSFET 1 N-Kanal 300 W D2PAKConrad Electronic exkl. moms 1075 stycken i lager Leverans tis. 29 sep. Min: 5Multipla: 5 | D2PAK | 0.015 Ω | 300 W | Ytmontering | N-Kanal | - | - | - | - | - | - | |||
Vishay IRFP150PBF MOSFET 1 N-Kanal 230 W TO-247AC TubeConrad Electronic exkl. moms 235 stycken i lager Leverans tis. 29 sep. Min: 5Multipla: 5 | TO-247AC | 0.055 Ω | 230 W | Genomföringshål | N-Kanal | 20 V | 2800 pF | 41 A | 100 V | Tube | RoHS | |||
Vishay IRFP440PBF MOSFET 1 N-Kanal 150 W TO-247AC TubeConrad Electronic exkl. moms 200 stycken i lager Leverans tis. 29 sep. Min: 5Multipla: 5 | TO-247AC | 0.85 Ω | 150 W | Genomföringshål | N-Kanal | - | - | - | - | Tube | - | |||
Vishay SI4100DY-T1-GE3 MOSFET 1 N-Kanal 6 W SOIC-8 Tape on Full reelConrad Electronic exkl. moms Okänd leveranstid Min: 50Multipla: 50 | SOIC-8 | 0.084 Ω | 6 W | Ytmontering | N-Kanal | - | - | - | - | Tape on Full reel | - | |||
 Enligt figur STMicroelectronics STP120NF10 MOSFET 1 N-Kanal 312 W TO-220Conrad Electronic exkl. moms 90 stycken i lager Leverans tis. 29 sep. Min: 10Multipla: 10 | TO-220 | 0.0105 Ω | 312 W | Genomföringshål | N-Kanal | - | - | - | - | - | - | |||
STMicroelectronics STD20NF20 MOSFET 1 N-Kanal 110 W TO-252Conrad Electronic exkl. moms 3330 stycken i lager Leverans tis. 29 sep. Min: 10Multipla: 10 | TO-252 | 0.125 Ω | 110 W | Ytmontering | N-Kanal | - | - | - | - | - | - | |||
Infineon Technologies IRF3710SPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 200 W D2PAKConrad Electronic exkl. moms 20 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. Min: 10 | D2PAK | 0.023 Ω | 200 W | Ytmontering | N-Kanal | - | - | - | - | - | - | |||
exkl. moms 10 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. Min: 3 | SOT-223 | 0.16 Ω | 2.1 W | Ytmontering | N-Kanal | - | - | - | - | - | - | |||
Infineon Technologies IRFS4115PBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 375 W D2PAKConrad Electronic exkl. moms 710 stycken i lager Leverans tis. 29 sep. Min: 10Multipla: 10 | D2PAK | 0.0121 Ω | 375 W | Ytmontering | N-Kanal | - | - | - | - | - | - | |||
Vishay IRF9610PBF MOSFET 1 P-Kanal 20 W TO-220AB TubeConrad Electronic exkl. moms 150 stycken i lager Leverans tis. 29 sep. Min: 25Multipla: 25 | TO-220AB | 3 Ω | 20 W | Genomföringshål | P-Kanal | - | - | - | - | Tube | - | |||
Vishay IRFBE20PBF MOSFET 1 N-Kanal 54 W TO-220AB TubeConrad Electronic exkl. moms 275 stycken i lager Leverans tis. 29 sep. Min: 25Multipla: 25 | TO-220AB | 6.5 Ω | 54 W | Genomföringshål | N-Kanal | - | - | - | - | Tube | - | |||
Vishay IRFBG20PBF MOSFET 1 N-Kanal 54 W TO-220AB TubeConrad Electronic exkl. moms 275 stycken i lager Leverans tis. 29 sep. Min: 25Multipla: 25 | TO-220AB | 11 Ω | 54 W | Genomföringshål | N-Kanal | - | - | - | - | Tube | - | |||
exkl. moms 31600 stycken i lager Leverans tis. 29 sep. Min: 50Multipla: 50 | SOIC-8 | 0.022 Ω | 6.3 W | Ytmontering | P-Kanal | - | - | - | - | Tape on Full reel | - | |||
Infineon Technologies IRLML5203PBF MOSFET 1 P-Kanal 1.25 W SOT-23Conrad Electronic 0,91678 kr exkl. moms 55 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. Min: 10 | SOT-23 | 0.165 Ω | 1.25 W | Ytmontering | P-Kanal | - | - | - | - | - | - | |||
exkl. moms 4 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. Min: 3 | TO-252AA | 0.065 Ω | 68 W | Genomföringshål | N-Kanal | - | - | - | - | - | - | |||
exkl. moms 20 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. | TO-252AA | 0.0225 Ω | 110 W | Genomföringshål | N-Kanal | - | - | - | - | - | - | |||
Infineon Technologies IRFR48ZPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 91 W TO-252AAConrad Electronic exkl. moms 3000 stycken i lager Leverans tis. 29 sep. Min: 50Multipla: 50 | TO-252AA | 0.011 Ω | 91 W | Genomföringshål | N-Kanal | - | - | - | - | - | - | |||
Infineon Technologies IRFS3004PBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 380 W D2PAKConrad Electronic exkl. moms 270 stycken i lager Leverans tis. 29 sep. Min: 10Multipla: 10 | D2PAK | 0.00175 Ω | 380 W | Ytmontering | N-Kanal | - | - | - | - | - | - | |||
exkl. moms 2790 stycken i lager Leverans tis. 29 sep. Min: 10Multipla: 10 | D2PAK | 0.0026 Ω | 370 W | Ytmontering | N-Kanal | - | - | - | - | - | - | |||
 Enligt figur exkl. moms Leverans tis. 8 dec. Min: 10Multipla: 10 | TO-220-FULLPAK | 0.11 Ω | 41 W | Genomföringshål | N-Kanal | - | - | - | - | - | - | |||
Infineon Technologies IRF8714PBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 2.5 W SO-8Conrad Electronic exkl. moms 4900 stycken i lager Leverans tis. 29 sep. Min: 50Multipla: 50 | SO-8 | 0.0087 Ω | 2.5 W | Ytmontering | N-Kanal | - | - | - | - | - | - | |||
Infineon Technologies BSP149 MOSFET 1 N-Kanal 1.8 W SOT-223Conrad Electronic exkl. moms 25 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. Min: 5 | SOT-223 | 3.5 Ω | 1.8 W | Ytmontering | N-Kanal | - | - | - | - | - | - | |||
-48% 8,72 kr 4,57 kr exkl. moms 40 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. | TO-252AA | 0.039 Ω | 110 W | Genomföringshål | N-Kanal | - | - | - | - | - | - | |||
exkl. moms 24 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. Min: 3 | TO-252AA | 0.075 Ω | 45 W | Genomföringshål | N-Kanal | - | - | - | - | - | - | |||
exkl. moms 27 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. Min: 3 | SOT-223 | 0.065 Ω | 2.1 W | Ytmontering | N-Kanal | - | - | - | - | - | - | |||
 Enligt figur Infineon Technologies IRF530NPBF MOSFET 1 N-Kanal 70 W TO-220AB TubeConrad Electronic exkl. moms 68 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. Min: 3 | TO-220AB | 0.09 Ω | 70 W | Genomföringshål | N-Kanal | 20 V | 920 pF | 17 A | 100 V | Tube | RoHS | |||
Infineon Technologies IRF7205PBF-GURT MOSFET 1 P-Kanal 2.5 W SO-8Conrad Electronic exkl. moms 37 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. Min: 3 | SO-8 | 0.07 Ω | 2.5 W | Ytmontering | P-Kanal | - | - | - | - | - | - | |||
Infineon Technologies IRF1018ESPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 110 W D2PAKConrad Electronic exkl. moms 10 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. Min: 10 | D2PAK | 0.0084 Ω | 110 W | Ytmontering | N-Kanal | - | - | - | - | - | - | |||
exkl. moms Okänd leveranstid Min: 100Multipla: 100 | SOT-23 | - | - | - | N-Kanal | - | - | - | 50 V | Tape on Full reel | - | |||
 Enligt figur Infineon Technologies IRF630NPBF MOSFET 1 N-Kanal 82 W TO-220ABConrad Electronic exkl. moms 4 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. Min: 3 | TO-220AB | 300 mΩ | 82 W | Genomföringshål | N-Kanal | 4 V | 575 pF | 5.4 A | 200 V | - | - | |||
 Enligt figur Diotec DI110N06D1 MOSFET N-Kanal 71 W TO-252AAConrad Electronic exkl. moms 2405 stycken i lager Leverans tor. 24 sep. | TO-252AA | - | 71 W | Ytmontering | N-Kanal | - | - | 30 A | 65 V | - | RoHS | |||
 Enligt figur Infineon Technologies IRFB7530PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220ABConrad Electronic exkl. moms 160 stycken i lager Leverans tis. 29 sep. Min: 10 | TO-220AB | 2 mΩ | 375 W | Genomföringshål | N-Kanal | 3.7 V | 13703 pF | 100 A | 60 V | - | - | |||
 Enligt figur Infineon Technologies IRFB7545PBF MOSFET 1 N-Kanal 125 W TO-220ABConrad Electronic exkl. moms 1440 stycken i lager Leverans tis. 29 sep. Min: 10Multipla: 10 | TO-220AB | 5.9 mΩ | 125 W | Genomföringshål | N-Kanal | 3.7 V | 4010 pF | 57 A | 60 V | - | - | |||
 Enligt figur Infineon Technologies IRFB7546PBF MOSFET 1 N-Kanal 99 W TO-220ABConrad Electronic exkl. moms 60 stycken i lager Leverans tis. 29 sep. Min: 10 | TO-220AB | 7.3 mΩ | 99 W | Genomföringshål | N-Kanal | 3.7 V | 3000 pF | 45 A | 60 V | - | - | |||
 Enligt figur Infineon Technologies IRFP4137PBF MOSFET 1 N-Kanal 341 W TO-247-3Conrad Electronic exkl. moms 55 stycken i lager Leverans tis. 29 sep. Min: 10 | TO-247-3 | 69 mΩ | 341 W | Genomföringshål | N-Kanal | 5 V | 5168 pF | 24 A | 300 V | - | - | |||
Rådgivare
Texten nedan är maskinöversatt från tysk originaltext.
Värt att veta om MOSFETS
Vad är MOSFETs?
Intressant information om MOSFETs
Vilka MOSFETs finns hos Conrad?
Hur hittar du rätt MOSFET?
Vad bör man tänka på när man hanterar MOSFETs?
Vad är MOSFETs?
Med MOSFET utses en grupp av styrbara halvledare. Beteckningen är en förkortning för ”metall-oxid-halvledar-fälteffekttransistor”, på engelska ”metal-oxide-semiconductor field-effect transistor” och är en följd av den ursprungligen använda sekvensen av styranslutningen: Lange har använts för detta ändamål. Denna anslutning skiljdes sedan från den egentliga halvledare av ett icke-ledande kiselskikt.
På grund av dagens användning av högteknologiska halvledarmaterial är det ursprungliga namnet tekniskt inte längre korrekt, eftersom det inte längre används någon aluminium, det ursprungliga gate-materialet. MOSFET har dock bibehållits som synonym för det importerade produktnamnet. Idag används dopad polykisel som gate-material.
MOSFET är ett aktivt element med minst tre anslutningar:
- S för Source (källa)
- D för drain (utflöde)
- G för Gate (styranslutning)
Vissa typer av konstruktioner har fortfarande en B-anslutning (bulk för substrat) som möjliggör ytterligare styregenskaper.
Utgångsstatus (utan spänning vid gate) kan vara ”normalt ledande” eller ”normalt låst” (eller tvärtom). Detta beror på den kemiska ”kompositionen” av de använda materialen som en utbrottstyp (= normalt ledande) eller som en anrikningstyp (= normal spärrande). Genom att skapa en styrspänning på Gate lämnar MOSFET sitt ursprungliga tillstånd. På så sätt är MOSFET i slutändan ett spänningsbart motstånd. Den mest använda varianten ”normal spärrning” är i praktiken. Det elektriska beteendet hos en MOSFET uppnås genom processer i de involverade kristallerna, där långvandrande lastbärare slutligen ger önskad effekt.
Med vissa elektriska miljöförhållanden genereras en karakteristik av MOSFET:s beteende. I detta anges de villkor som gäller mellan Source och gate för vilken spänning som ”släpps igenom”. På så sätt uppstår även kapacitiva värden som kan påverka MOSFET:s beteende när den används som brytare. De ger mycket snabb koppling och är därför lämpliga för höga frekvenser, till exempel i switchade nätaggregat.
Intressant information om MOSFETs
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT , på tyska ”Bipoltransistor med isolerad grind-elektrod”) är en vidareutveckling av MOSFET för användning inom effektelektronik. Prestandan hos dessa komponenter sträcker sig upp till flera kilovolt, strömområdet överstiger några kiloampere. Dessa komponenter används som effekthalvledarbrytare till exempel i motordrifter, tågströmstyrenheter, switchade nätaggregat eller i system för avbrottsfri strömförsörjning (UPS).
Vilka MOSFETs finns hos Conrad?
I vår e-butik finns ett stort urval MOSFETs, som kan väljas efter olika tekniska kriterier:
I vår e-butik finns ett stort urval MOSFETs, som kan väljas efter olika tekniska kriterier:
Kapsling
Här har en stor mångfald av konstruktioner etablerat sig. Det finns MOSFETs med lödanslutningar och som SMD-hölje. Nästan alla är en anslutning för kylelement eller -ytor tillsammans.
tillverkargaranti
Tillverkarens förkortning är en beteckning för tillverkaren, som oftast består av tre bokstäver.
Monteringssätt
Det finns varianter med genomföringshål, ytmontering (SMT) eller hölje. De senare komponenterna är utrustade med skruvanslutningar för elektrisk anslutning och montering. Observera att anslutningskruven kan vara lång beroende av applikationen. Skruvarna i passande längd med fjäderring och bricka beställs separat.
Maximal drifttemperatur
MOSFET:erna i vårt sortiment arbetar med maximalt temperaturområde från 125 till 225 grader Celsius.
P tot
Detta värde definierar den maximala effekt som MOSFET får omvandlas till värme utan att halvledare förstöras - från 0,225 milliwatt till 2.500 watt.
Utförande
I denna menypunkt kan man välja mellan olika ledningsförmåga. Det finns även MOSFETs som i ett hölje erbjuder olika ledningsriktningar.
U(DSS)
Drain Source Voltage: Maximal spänningshållfasthet på komponenten mellan drain och source.
R(DS)(on)
Drain-source ON resistance: Motstånd av den påslagna FET.
U(GS)(th) max.
Gate-source Threshold Voltage: Genspänning, från vilken transistorn blir minimalt ledande.
C(ISS)
Small signal Input Capacitance - Gatkapaciteten: Gate-elektroden på MOSFET bildar en ingångskapacitet.
I informationsbladen på varje produkt finns detaljerad information från tillverkarna om alla detaljer i MOSFETs.
Hur hittar du rätt MOSFET?
Det första steget vid valet av lämplig byggsten för en kopplingsdesign är att bestämma om en N-kanal- eller P-kanal-MOSFET ska användas. Detta beror på den uppgift som kopplingen skall utföra.
Det är också nödvändigt att fastställa den största möjliga spänning som kan uppstå mellan drain och source. Observera att detta värde varierar med temperaturen - ta hänsyn till hela det tillåtna temperaturområdet för drift. MOSFET:ens märkspänning måste ha en tillräckligt hög toleransnivå för att förhindra avbrott. Andra aspekter är retroaktiva vibrationer från motorer eller transformatorer.
Vad bör man tänka på när man hanterar MOSFETs?
Observera de allmänna reglerna för hantering av vissa spänningshöjder, för att förhindra skador på grund av elstötar. Underhåll vid nätspänning får endast utföras av kvalificerad personal. Innan arbetet påbörjas måste strömförsörjningen inklusive säkring ske mot oavsiktlig återstart. I driftläge – särskilt under utvecklings- eller laboratorieförhållanden – ska skydd mot oavsiktlig beröring säkerställas.
Varje person kan genom rörelse ladda sig till flera 1.000 volt elektrostatisk. Ofta räcker det med få volt spänning för att förstöra aktiva elektriska komponenter. Det kan ske redan när vi närmar oss varandra. Vid arbete med mycket känsliga mätinstrument eller elektriska komponenter av alla slag rekommenderas en säker jordning.
Vårt praktiska tips
När du byter ut lödda MOSFETs kan lödtiderna hållas korta för att undvika termisk förstörelse. Använd lämplig lödteknik, framför allt passande lödtillbehör vid avlödning för att förhindra att kretskort lösgör kretskort från lödbanor.
Håll Vridmomentsinformationen vid montering av kylelement.
MOSFETs är känsliga mot statiskt laddade personer och föremål. Anslut elektroderna med kort elektrisk ledning tills de har monterats - det räcker med förvaring i ledande skum eller ESD-avskärmningpåsar.