Infineon Technologies IRLL2705PBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 2.1 W SOT-223
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
MOSFET
Kapsling
SOT-223
Utförande
N-Kanal
Prestanda (max) P(TOT)
2.1 W
R(DS)(on)
0.065 Ω
Datablad (PDF)
27 Styck
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
3
-
10,20706 kr
9
8% = 0,82 kr
9,38539 kr
15
11% = 1,15 kr
9,05673 kr
30
13% = 1,37 kr
8,83830 kr
60
16% = 1,62 kr
8,59129 kr
120
19% = 1,89 kr
8,31774 kr
300
21% = 2,19 kr
8,01663 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Minsta beställningsvolym:: 3
Toal (10,20706 kr / stycken)
30,62 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
MOSFET
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
IRLL2705PBF-GURT
- Typ av produkt
MOSFET
- Kapsling
SOT-223
- tillverkargaranti
Infineon Technologies
- Utförande
N-Kanal
- I(d)
3.8 A
- UBR DSS
55 V
- Prestanda (max) P(TOT)
2.1 W
- R(DS)(on)
0.065 Ω
- Monteringssätt
Ytmontering
- Kanaler
1
- Innehåll
1 st
- UKCA
Ja
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 3026298 Infineon Technologies IRLL2705PBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 2.1 W SOT-223
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 3026298 Infineon Technologies IRLL2705PBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 2.1 W SOT-223