Liknande avbildning
Liknande avbildning
ON Semiconductor FQP27P06 MOSFET 1 P-Kanal 120 W TO-220-3
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
MOSFET
Kapsling
TO-220-3
Utförande
P-Kanal
Prestanda (max) P(TOT)
120 W
R(DS)(on)
70 mΩ
145 Styck
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
1
-
44,00 kr
5
7% = 2,87 kr
41,13 kr
10
9% = 4,02 kr
39,98 kr
25
11% = 4,79 kr
39,21 kr
50
13% = 5,66 kr
38,34 kr
100
15% = 6,62 kr
37,38 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Toal (44,00 kr / stycken)
44,00 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
MOSFET
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
FQP27P06
- Typ av produkt
MOSFET
- Kapsling
TO-220-3
- tillverkargaranti
ON Semiconductor
- Tillv. -förk.
OnS
- Utförande
P-Kanal
- I(d)
27 A
- UBR DSS
60 V
- Prestanda (max) P(TOT)
120 W
- R(DS)(on)
70 mΩ
- R(DS)(on) referensström
13.5 A
- R(DS)(on) referensspänning
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) referensström max.
250 µA
- Q(G)
43 nC
- Q(G) referensspänning
10 V
- C(ISS)
1400 pF
- C(ISS) referensspänning
25 V
- Driftstemperatur (Min)
-55 °C
- Monteringssätt
Genomföringshål
- Serie
QFET®
- Driftstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor egenskaper
Standard
- U(DSS)
60 V
- Kanaler
1
- Innehåll
1 st
- Typ
FQP27P06
- Hölje
TO-220-3
Dokument & nedladdningar
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 1264194 ON Semiconductor FQP27P06 MOSFET 1 P-Kanal 120 W TO-220-3