Liknande avbildning
Liknande avbildning
Infineon Technologies IRF630N MOSFET 1 N-Kanal 82 W TO-263-3
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
MOSFET
Kapsling
TO-263-3
Utförande
N-Kanal
Prestanda (max) P(TOT)
82 W
R(DS)(on)
300 mΩ
Datablad (PDF)
736 Styck
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
3
-
6,91 kr
9
8% = 0,56 kr
6,35 kr
15
11% = 0,77 kr
6,14 kr
30
13% = 0,93 kr
5,98 kr
60
16% = 1,09 kr
5,82 kr
120
19% = 1,28 kr
5,63 kr
300
21% = 1,48 kr
5,43 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Minsta beställningsvolym:: 3
Toal (6,91 kr / stycken)
20,73 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
MOSFET (HEXFET /FETKY)
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
IRF630N
- Typ av produkt
MOSFET
- Kapsling
TO-263-3
- tillverkargaranti
Infineon Technologies
- Tillv. -förk.
INF
- Utförande
N-Kanal
- I(d)
9.3 A
- UBR DSS
200 V
- Prestanda (max) P(TOT)
82 W
- R(DS)(on)
300 mΩ
- R(DS)(on) referensström
5.4 A
- R(DS)(on) referensspänning
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) referensström max.
250 µA
- Q(G)
35 nC
- Q(G) referensspänning
10 V
- C(ISS)
575 pF
- C(ISS) referensspänning
25 V
- Driftstemperatur (Min)
-55 °C
- Monteringssätt
Ytmontering
- Serie
HEXFET®
- Driftstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor egenskaper
Standard
- U(DSS)
200 V
- Kanaler
1
- Innehåll
1 st
- Utförande
N-kanal
- Typ
IRF630N
- Beskrivning
200 V/9.3 A
- Hölje
TO-220
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 162421 Infineon Technologies IRF630N MOSFET 1 N-Kanal 82 W TO-263-3
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 162421 Infineon Technologies IRF630N MOSFET 1 N-Kanal 82 W TO-263-3
Beskrivning
En MOSFET-transistor är en spänningsstyrd komponent och kan anslutas direkt till högohmig källa. De lämpar sig därför som switch eller analog förstärkare. Tips: Tillverkare SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.