Liknande avbildning
Liknande avbildning
Infineon Technologies IRLML6402TRPBF MOSFET 1 P-Kanal 1.3 W SOT-23
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
MOSFET
Kapsling
SOT-23
Utförande
P-Kanal
Prestanda (max) P(TOT)
1.3 W
R(DS)(on)
65 mΩ
Datablad (PDF)
1307 Styck
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
20
-
4,18 kr
60
9% = 0,38 kr
3,80 kr
100
13% = 0,53 kr
3,65 kr
200
15% = 0,63 kr
3,55 kr
400
18% = 0,75 kr
3,43 kr
800
21% = 0,88 kr
3,30 kr
2000
24% = 1,01 kr
3,17 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Minsta beställningsvolym:: 20
Toal (4,18 kr / stycken)
83,60 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
MOSFET
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
IRLML6402TRPBF
- Typ av produkt
MOSFET
- Kapsling
SOT-23
- tillverkargaranti
Infineon Technologies
- Tillv. -förk.
INF
- Utförande
P-Kanal
- I(d)
3.7 A
- UBR DSS
20 V
- Prestanda (max) P(TOT)
1.3 W
- R(DS)(on)
65 mΩ
- R(DS)(on) referensström
3.7 A
- R(DS)(on) referensspänning
4.5 V
- U(GS)(th) max.
1.2 V
- U(GS)(th) referensström max.
250 µA
- Q(G)
12 nC
- Q(G) referensspänning
5 V
- C(ISS)
633 pF
- C(ISS) referensspänning
10 V
- Driftstemperatur (Min)
-55 °C
- Monteringssätt
Ytmontering
- Serie
HEXFET®
- Driftstemperatur (max.)
+150 °C
- Transistor egenskaper
Standard
- U(DSS)
20 V
- Kanaler
1
- Innehåll
1 st
- Utförande
P-kanal
- Typ
IRLML6402TRPBF
- Beskrivning
-20 V/-3.7 A
- Hölje
R3
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 162833 Infineon Technologies IRLML6402TRPBF MOSFET 1 P-Kanal 1.3 W SOT-23
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 162833 Infineon Technologies IRLML6402TRPBF MOSFET 1 P-Kanal 1.3 W SOT-23