Liknande avbildning
Liknande avbildning
Infineon Technologies IRLB3034PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220AB
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
MOSFET
Kapsling
TO-220AB
Utförande
N-Kanal
Prestanda (max) P(TOT)
375 W
R(DS)(on)
1.7 mΩ
Datablad (PDF)
619 Styck
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
1
-
47,20 kr
5
7% = 3,08 kr
44,12 kr
10
9% = 4,32 kr
42,88 kr
25
11% = 5,14 kr
42,06 kr
50
13% = 6,06 kr
41,14 kr
100
15% = 7,10 kr
40,10 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Toal (47,20 kr / stycken)
47,20 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
Transistor unipolär (MOSFET)
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
IRLB3034PBF
- Typ av produkt
MOSFET
- Kapsling
TO-220AB
- tillverkargaranti
Infineon Technologies
- Tillv. -förk.
INF
- Utförande
N-Kanal
- I(d)
195 A
- UBR DSS
40 V
- Prestanda (max) P(TOT)
375 W
- R(DS)(on)
1.7 mΩ
- R(DS)(on) referensström
195 A
- R(DS)(on) referensspänning
10 V
- U(GS)(th) max.
2.5 V
- U(GS)(th) referensström max.
250 µA
- Q(G)
162 nC
- Q(G) referensspänning
4.5 V
- C(ISS)
10315 pF
- C(ISS) referensspänning
25 V
- Driftstemperatur (Min)
-55 °C
- Monteringssätt
Genomföringshål
- Serie
HEXFET®
- Driftstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor egenskaper
Logic Level Gate
- U(DSS)
40 V
- Kanaler
1
- Innehåll
1 st
- Utförande
N-kanal
- Typ
IRLB3034PBF
- Hölje
TO-220AB
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 161162 Infineon Technologies IRLB3034PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220AB
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 161162 Infineon Technologies IRLB3034PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220AB