Liknande avbildning
Liknande avbildning
Infineon Technologies IRF3710SPBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W D2PAK
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
MOSFET
Kapsling
D2PAK
Utförande
N-Kanal
Prestanda (max) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
23 mΩ
Datablad (PDF)
568 Styck (Bara så länge lagret räcker)
Antal
Toal (9,52 kr / stycken)
9,52 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
MOSFET (HEXFET / FETKY)
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
IRF3710SPBF
- Typ av produkt
MOSFET
- Kapsling
D2PAK
- tillverkargaranti
Infineon Technologies
- Tillv. -förk.
INF
- Utförande
N-Kanal
- I(d)
57 A
- UBR DSS
100 V
- Prestanda (max) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
23 mΩ
- R(DS)(on) referensström
28 A
- R(DS)(on) referensspänning
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) referensström max.
250 µA
- Q(G)
130 nC
- Q(G) referensspänning
10 V
- C(ISS)
3130 pF
- C(ISS) referensspänning
25 V
- Driftstemperatur (Min)
-55 °C
- Monteringssätt
Ytmontering
- Serie
HEXFET®
- Driftstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor egenskaper
Standard
- U(DSS)
100 V
- Kanaler
1
- Innehåll
1 st
- Utförande
N-kanal
- Typ
IRF3710S
- Beskrivning
100 V/57 A
- Hölje
D2PAK
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 162398 Infineon Technologies IRF3710SPBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W D2PAK
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 162398 Infineon Technologies IRF3710SPBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W D2PAK