Liknande avbildning
Liknande avbildning
Infineon Technologies IRF1404PBF MOSFET 1 N-Kanal 333 W TO-220AB
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
MOSFET
Kapsling
TO-220AB
Utförande
N-Kanal
Prestanda (max) P(TOT)
333 W
R(DS)(on)
4 mΩ
Datablad (PDF)
168 Styck
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
1
-
25,52 kr
10
7% = 1,91 kr
23,61 kr
25
10% = 2,67 kr
22,85 kr
50
12% = 3,18 kr
22,34 kr
100
15% = 3,75 kr
21,77 kr
250
17% = 4,39 kr
21,13 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Toal (25,52 kr / stycken)
25,52 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
MOSFET (HEXFET/FETKY)
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
IRF1404PBF
- Typ av produkt
MOSFET
- Kapsling
TO-220AB
- tillverkargaranti
Infineon Technologies
- Tillv. -förk.
INF
- Utförande
N-Kanal
- I(d)
202 A
- UBR DSS
40 V
- Prestanda (max) P(TOT)
333 W
- R(DS)(on)
4 mΩ
- R(DS)(on) referensström
121 A
- R(DS)(on) referensspänning
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) referensström max.
250 µA
- Q(G)
196 nC
- Q(G) referensspänning
10 V
- C(ISS)
5669 pF
- C(ISS) referensspänning
25 V
- Driftstemperatur (Min)
-55 °C
- Monteringssätt
Genomföringshål
- Serie
HEXFET®
- Driftstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor egenskaper
Standard
- U(DSS)
40 V
- Kanaler
1
- Innehåll
1 st
- Utförande
N-kanal
- Typ
IRF1404
- Beskrivning
40 V/162 A
- Hölje
TO-220
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 162372 Infineon Technologies IRF1404PBF MOSFET 1 N-Kanal 333 W TO-220AB
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 162372 Infineon Technologies IRF1404PBF MOSFET 1 N-Kanal 333 W TO-220AB