Liknande avbildning
Liknande avbildning
Infineon Technologies IRLML2803TRPBF MOSFET 1 N-Kanal 540 mW SOT-23
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
MOSFET
Kapsling
SOT-23
Utförande
N-Kanal
Prestanda (max) P(TOT)
540 mW
R(DS)(on)
250 mΩ
Datablad (PDF)
295 Styck
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
15
-
2,07 kr
45
9% = 0,19 kr
1,88 kr
75
13% = 0,26 kr
1,81 kr
150
15% = 0,31 kr
1,76 kr
300
18% = 0,37 kr
1,70 kr
600
21% = 0,43 kr
1,64 kr
1500
24% = 0,50 kr
1,57 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Minsta beställningsvolym:: 15
Toal (2,07 kr / stycken)
31,05 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
MOSFET
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
IRLML2803TRPBF
- Typ av produkt
MOSFET
- Kapsling
SOT-23
- tillverkargaranti
Infineon Technologies
- Tillv. -förk.
INF
- Utförande
N-Kanal
- I(d)
1.2 A
- UBR DSS
30 V
- Prestanda (max) P(TOT)
540 mW
- R(DS)(on)
250 mΩ
- R(DS)(on) referensström
910 mA
- R(DS)(on) referensspänning
10 V
- U(GS)(th) max.
1 V
- U(GS)(th) referensström max.
250 µA
- Q(G)
5 nC
- Q(G) referensspänning
10 V
- C(ISS)
85 pF
- C(ISS) referensspänning
25 V
- Driftstemperatur (Min)
-55 °C
- Monteringssätt
Ytmontering
- Serie
HEXFET®
- Driftstemperatur (max.)
+150 °C
- Transistor egenskaper
Standard
- U(DSS)
30 V
- Kanaler
1
- Innehåll
1 st
- Utförande
N-kanal
- Typ
IRLML2803TRPBF
- Beskrivning
30 V/DC/1 A
- Hölje
R3
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 162828 Infineon Technologies IRLML2803TRPBF MOSFET 1 N-Kanal 540 mW SOT-23
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 162828 Infineon Technologies IRLML2803TRPBF MOSFET 1 N-Kanal 540 mW SOT-23