Liknande avbildning
Liknande avbildning
ON Semiconductor FCP11N60F MOSFET 1 N-Kanal 125 W TO-220-3
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
MOSFET
Kapsling
TO-220-3
Utförande
N-Kanal
Prestanda (max) P(TOT)
125 W
R(DS)(on)
380 mΩ
660 Styck
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
10
-
31,12 kr
30
7% = 2,33 kr
28,79 kr
50
10% = 3,26 kr
27,86 kr
100
12% = 3,88 kr
27,24 kr
200
15% = 4,58 kr
26,54 kr
400
17% = 5,35 kr
25,77 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Minsta beställningsvolym:: 10
Intervaller: 10
Toal (31,12 kr / stycken)
311,20 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
MOSFET
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
FCP11N60F
- Typ av produkt
MOSFET
- Kapsling
TO-220-3
- tillverkargaranti
ON Semiconductor
- Tillv. -förk.
OnS
- Utförande
N-Kanal
- I(d)
11 A
- UBR DSS
600 V
- Prestanda (max) P(TOT)
125 W
- R(DS)(on)
380 mΩ
- R(DS)(on) referensström
5.5 A
- R(DS)(on) referensspänning
10 V
- U(GS)(th) max.
5 V
- U(GS)(th) referensström max.
250 µA
- Q(G)
52 nC
- Q(G) referensspänning
10 V
- C(ISS)
1490 pF
- C(ISS) referensspänning
25 V
- Driftstemperatur (Min)
-55 °C
- Monteringssätt
Genomföringshål
- Serie
SuperFET™
- Driftstemperatur (max.)
+150 °C
- Transistor egenskaper
Standard
- U(DSS)
600 V
- Kanaler
1
- Innehåll
1 st
Dokument & nedladdningar
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 1263230 ON Semiconductor FCP11N60F MOSFET 1 N-Kanal 125 W TO-220-3