Liknande avbildning
Liknande avbildning
Infineon Technologies IRFP3703PBF MOSFET 1 N-Kanal 3.8 W TO-247
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
MOSFET
Kapsling
TO-247
Utförande
N-Kanal
Prestanda (max) P(TOT)
3.8 W
R(DS)(on)
2.8 mΩ
Datablad (PDF)
717 Styck (Bara så länge lagret räcker)
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
1
-
95,20 kr
3
6% = 5,46 kr
89,74 kr
5
8% = 7,66 kr
87,54 kr
10
10% = 9,11 kr
86,09 kr
25
11% = 10,76 kr
84,44 kr
50
13% = 12,58 kr
82,62 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Toal (95,20 kr / stycken)
95,20 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
MOSFET (HEXFET / FETKY)
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
IRFP3703PBF
- Typ av produkt
MOSFET
- Kapsling
TO-247
- tillverkargaranti
Infineon Technologies
- Tillv. -förk.
INF
- Utförande
N-Kanal
- I(d)
210 A
- UBR DSS
30 V
- Prestanda (max) P(TOT)
3.8 W
- R(DS)(on)
2.8 mΩ
- R(DS)(on) referensström
76 A
- R(DS)(on) referensspänning
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) referensström max.
250 µA
- Q(G)
209 nC
- Q(G) referensspänning
10 V
- C(ISS)
8250 pF
- C(ISS) referensspänning
25 V
- Driftstemperatur (Min)
-55 °C
- Monteringssätt
Genomföringshål
- Serie
HEXFET®
- Driftstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor egenskaper
Standard
- U(DSS)
30 V
- Kanaler
1
- Innehåll
1 st
- Utförande
N-kanal
- Typ
IRFP3703
- Beskrivning
30 V/210 A
- Hölje
TO-247
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 162652 Infineon Technologies IRFP3703PBF MOSFET 1 N-Kanal 3.8 W TO-247
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 162652 Infineon Technologies IRFP3703PBF MOSFET 1 N-Kanal 3.8 W TO-247