Liknande avbildning
Liknande avbildning
ON Semiconductor FDS8858CZ MOSFET 1 N-Kanal, P-Kanal 900 mW SOIC-8
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
MOSFET
Kapsling
SOIC-8
Utförande
N-Kanal
P-Kanal
Prestanda (max) P(TOT)
900 mW
R(DS)(on)
17 mΩ
16 Styck
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
1
-
11,12 kr
10
8% = 0,90 kr
10,22 kr
25
11% = 1,26 kr
9,86 kr
50
13% = 1,49 kr
9,63 kr
100
16% = 1,76 kr
9,36 kr
250
19% = 2,06 kr
9,06 kr
500
21% = 2,38 kr
8,74 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Toal (11,12 kr / stycken)
11,12 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
MOSFET
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
FDS8858CZ
- Typ av produkt
MOSFET
- Kapsling
SOIC-8
- tillverkargaranti
ON Semiconductor
- Tillv. -förk.
OnS
- Utförande
N-Kanal
P-Kanal
- I(d)
8.6 A
7.3 A
- UBR DSS
30 V
- Prestanda (max) P(TOT)
900 mW
- R(DS)(on)
17 mΩ
- R(DS)(on) referensström
8.6 A
- R(DS)(on) referensspänning
10 V
- U(GS)(th) max.
3 V
- U(GS)(th) referensström max.
250 µA
- Q(G)
24 nC
- Q(G) referensspänning
10 V
- C(ISS)
1205 pF
- C(ISS) referensspänning
15 V
- Driftstemperatur (Min)
-55 °C
- Monteringssätt
Ytmontering
- Serie
PowerTrench®
- Driftstemperatur (max.)
+150 °C
- Transistor egenskaper
Logic Level Gate
- U(DSS)
30 V
- Kanaler
1
- Innehåll
1 st
Dokument & nedladdningar
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 1263964 ON Semiconductor FDS8858CZ MOSFET 1 N-Kanal, P-Kanal 900 mW SOIC-8