Vishay SI4532CDY-T1-GE3 MOSFET 2 N-Kanal, P-Kanal 1.78 W SOIC-8 Tape on Full reel
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Förpackningstyp
Tape on Full reel
Typ av produkt
MOSFET
Kapsling
SOIC-8
Utförande
N-Kanal
P-Kanal
Prestanda (max) P(TOT)
1.78 W
Datablad (PDF)
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
50
-
9,61578 kr
150
8% = 0,77 kr
8,84171 kr
250
11% = 1,08 kr
8,53209 kr
500
13% = 1,29 kr
8,32630 kr
1000
16% = 1,52 kr
8,09361 kr
2000
19% = 1,78 kr
7,83590 kr
5000
21% = 2,06 kr
7,55224 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Minsta beställningsvolym:: 50
Intervaller: 50
Tape on Full reel
Styck (Innehåll: )
Styck (Innehåll: )
Toal (9,61578 kr / stycken)
480,79 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
MOSFET
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Förpackningstyp
Tape on Full reel
- Typ
SI4532CDY-T1-GE3
- Typ av produkt
MOSFET
- Kapsling
SOIC-8
- tillverkargaranti
Vishay
- Utförande
N-Kanal
P-Kanal
- I(d)
6 A
- UBR DSS
30 V
- Prestanda (max) P(TOT)
1.78 W
- R(DS)(on)
0.14 Ω
- Driftstemperatur (Min)
-55 °C
- Monteringssätt
Ytmontering
- Driftstemperatur (max.)
150 °C
- Kanaler
2
- Innehåll
1 st
- Höjd
0.00 mm
- Längd
0 mm
- Bredd
0.00 mm
- Vikt
0
- UKCA
Ja
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 3026546 Vishay SI4532CDY-T1-GE3 MOSFET 2 N-Kanal, P-Kanal 1.78 W SOIC-8 Tape on Full reel
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 3026546 Vishay SI4532CDY-T1-GE3 MOSFET 2 N-Kanal, P-Kanal 1.78 W SOIC-8 Tape on Full reel