Liknande avbildning
Liknande avbildning
Infineon Technologies IRFB7530PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220AB
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
MOSFET
Kapsling
TO-220AB
Utförande
N-Kanal
Prestanda (max) P(TOT)
375 W
R(DS)(on)
2 mΩ
Datablad (PDF)
160 Styck
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
10
-
36,72 kr
30
7% = 2,74 kr
33,98 kr
50
10% = 3,85 kr
32,87 kr
100
12% = 4,58 kr
32,14 kr
200
15% = 5,40 kr
31,32 kr
400
17% = 6,32 kr
30,40 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Minsta beställningsvolym:: 10
Toal (36,72 kr / stycken)
367,20 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
MOSFET
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
IRFB7530PBF
- Typ av produkt
MOSFET
- Kapsling
TO-220AB
- tillverkargaranti
Infineon Technologies
- Tillv. -förk.
INF
- Utförande
N-Kanal
- I(d)
195 A
- UBR DSS
60 V
- Prestanda (max) P(TOT)
375 W
- R(DS)(on)
2 mΩ
- R(DS)(on) referensström
100 A
- R(DS)(on) referensspänning
10 V
- U(GS)(th) max.
3.7 V
- U(GS)(th) referensström max.
250 µA
- Q(G)
411 nC
- Q(G) referensspänning
10 V
- C(ISS)
13703 pF
- C(ISS) referensspänning
25 V
- Driftstemperatur (Min)
-55 °C
- Monteringssätt
Genomföringshål
- Serie
HEXFET®
StrongIRFET™
- Driftstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor egenskaper
Standard
- U(DSS)
60 V
- Kanaler
1
- Innehåll
1 st
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 564040 Infineon Technologies IRFB7530PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220AB
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 564040 Infineon Technologies IRFB7530PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220AB