Liknande avbildning
Liknande avbildning
Infineon Technologies IRF1104PBF MOSFET 1 N-Kanal 170 W TO-220AB
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
MOSFET
Kapsling
TO-220AB
Utförande
N-Kanal
Prestanda (max) P(TOT)
170 W
R(DS)(on)
9 mΩ
Datablad (PDF)
49 Styck (Bara så länge lagret räcker)
Antal
Toal (9,52 kr / stycken)
19,92 kr
-52 %
9,52 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
MOSFET
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
IRF1104PBF
- Typ av produkt
MOSFET
- Kapsling
TO-220AB
- tillverkargaranti
Infineon Technologies
- Tillv. -förk.
INF
- Utförande
N-Kanal
- I(d)
100 A
- UBR DSS
40 V
- Prestanda (max) P(TOT)
170 W
- R(DS)(on)
9 mΩ
- R(DS)(on) referensström
60 A
- R(DS)(on) referensspänning
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) referensström max.
250 µA
- Q(G)
93 nC
- Q(G) referensspänning
10 V
- C(ISS)
2900 pF
- C(ISS) referensspänning
25 V
- Driftstemperatur (Min)
-55 °C
- Monteringssätt
Genomföringshål
- Serie
HEXFET®
- Driftstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor egenskaper
Standard
- U(DSS)
40 V
- Kanaler
1
- Innehåll
1 st
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 563940 Infineon Technologies IRF1104PBF MOSFET 1 N-Kanal 170 W TO-220AB
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 563940 Infineon Technologies IRF1104PBF MOSFET 1 N-Kanal 170 W TO-220AB