Liknande avbildning
Liknande avbildning
Infineon Technologies IRF630NPBF MOSFET 1 N-Kanal 82 W TO-220AB
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
MOSFET
Kapsling
TO-220AB
Utförande
N-Kanal
Prestanda (max) P(TOT)
82 W
R(DS)(on)
300 mΩ
Datablad (PDF)
4 Styck
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
3
-
14,32 kr
9
8% = 1,15 kr
13,17 kr
15
11% = 1,62 kr
12,70 kr
30
13% = 1,92 kr
12,40 kr
60
16% = 2,26 kr
12,06 kr
120
19% = 2,65 kr
11,67 kr
300
21% = 3,07 kr
11,25 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Minsta beställningsvolym:: 3
Toal (14,32 kr / stycken)
42,96 kr
exkl. moms
Endast 4 Styck kvar på lager
Höjdpunkter & detaljer
MOSFET
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
IRF630NPBF
- Typ av produkt
MOSFET
- Kapsling
TO-220AB
- tillverkargaranti
Infineon Technologies
- Tillv. -förk.
INF
- Utförande
N-Kanal
- I(d)
9.3 A
- UBR DSS
200 V
- Prestanda (max) P(TOT)
82 W
- R(DS)(on)
300 mΩ
- R(DS)(on) referensström
5.4 A
- R(DS)(on) referensspänning
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) referensström max.
250 µA
- Q(G)
35 nC
- Q(G) referensspänning
10 V
- C(ISS)
575 pF
- C(ISS) referensspänning
25 V
- Driftstemperatur (Min)
-55 °C
- Monteringssätt
Genomföringshål
- Serie
HEXFET®
- Driftstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor egenskaper
Standard
- U(DSS)
200 V
- Kanaler
1
- Innehåll
1 st
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 563977 Infineon Technologies IRF630NPBF MOSFET 1 N-Kanal 82 W TO-220AB
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 563977 Infineon Technologies IRF630NPBF MOSFET 1 N-Kanal 82 W TO-220AB