Liknande avbildning
Liknande avbildning
Infineon Technologies IRFB4127PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220AB
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
MOSFET
Kapsling
TO-220AB
Utförande
N-Kanal
Prestanda (max) P(TOT)
375 W
R(DS)(on)
20 mΩ
Datablad (PDF)
1010 Styck
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
10
-
38,32 kr
30
7% = 2,86 kr
35,46 kr
50
10% = 4,02 kr
34,30 kr
100
12% = 4,78 kr
33,54 kr
200
15% = 5,64 kr
32,68 kr
400
17% = 6,59 kr
31,73 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Minsta beställningsvolym:: 10
Intervaller: 10
Toal (38,32 kr / stycken)
383,20 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
MOSFET
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
IRFB4127PBF
- Typ av produkt
MOSFET
- Kapsling
TO-220AB
- tillverkargaranti
Infineon Technologies
- Tillv. -förk.
INF
- Utförande
N-Kanal
- I(d)
76 A
- UBR DSS
200 V
- Prestanda (max) P(TOT)
375 W
- R(DS)(on)
20 mΩ
- R(DS)(on) referensström
44 A
- R(DS)(on) referensspänning
10 V
- U(GS)(th) max.
5 V
- U(GS)(th) referensström max.
250 µA
- Q(G)
150 nC
- Q(G) referensspänning
10 V
- C(ISS)
5380 pF
- C(ISS) referensspänning
50 V
- Driftstemperatur (Min)
-55 °C
- Monteringssätt
Genomföringshål
- Serie
HEXFET®
- Driftstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor egenskaper
Standard
- U(DSS)
200 V
- Kanaler
1
- Innehåll
1 st
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 564026 Infineon Technologies IRFB4127PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220AB
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 564026 Infineon Technologies IRFB4127PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220AB