Infineon Technologies IRF1018ESPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 110 W D2PAK
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
MOSFET
Kapsling
D2PAK
Utförande
N-Kanal
Prestanda (max) P(TOT)
110 W
R(DS)(on)
0.0084 Ω
Datablad (PDF)
10 Styck
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
10
-
14,32 kr
30
8% = 1,15 kr
13,17 kr
50
11% = 1,62 kr
12,70 kr
100
13% = 1,92 kr
12,40 kr
200
16% = 2,26 kr
12,06 kr
400
19% = 2,65 kr
11,67 kr
1000
21% = 3,07 kr
11,25 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Minsta beställningsvolym:: 10
Toal (14,32 kr / stycken)
143,20 kr
exkl. moms
Endast 10 Styck kvar på lager
Höjdpunkter & detaljer
MOSFET
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
IRF1018ESPBF-GURT
- Typ av produkt
MOSFET
- Kapsling
D2PAK
- tillverkargaranti
Infineon Technologies
- Utförande
N-Kanal
- I(d)
79 A
- UBR DSS
60 V
- Prestanda (max) P(TOT)
110 W
- R(DS)(on)
0.0084 Ω
- Monteringssätt
Ytmontering
- Kanaler
1
- Innehåll
1 st
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 3026220 Infineon Technologies IRF1018ESPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 110 W D2PAK
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 3026220 Infineon Technologies IRF1018ESPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 110 W D2PAK