Liknande avbildning
Liknande avbildning
Infineon Technologies IRLB3813PBF MOSFET 1 N-Kanal 230 W TO-220AB
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
MOSFET
Kapsling
TO-220AB
Utförande
N-Kanal
Prestanda (max) P(TOT)
230 W
R(DS)(on)
1.95 mΩ
Datablad (PDF)
74 Styck
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
1
-
31,12 kr
10
7% = 2,33 kr
28,79 kr
25
10% = 3,26 kr
27,86 kr
50
12% = 3,88 kr
27,24 kr
100
15% = 4,58 kr
26,54 kr
250
17% = 5,35 kr
25,77 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Toal (31,12 kr / stycken)
31,12 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
Transistor unipolär (MOSFET)
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
IRLB3813PBF
- Typ av produkt
MOSFET
- Kapsling
TO-220AB
- tillverkargaranti
Infineon Technologies
- Tillv. -förk.
INF
- Utförande
N-Kanal
- I(d)
260 A
- UBR DSS
30 V
- Prestanda (max) P(TOT)
230 W
- R(DS)(on)
1.95 mΩ
- R(DS)(on) referensström
60 A
- R(DS)(on) referensspänning
10 V
- U(GS)(th) max.
2.35 V
- U(GS)(th) referensström max.
150 µA
- Q(G)
86 nC
- Q(G) referensspänning
4.5 V
- C(ISS)
8420 pF
- C(ISS) referensspänning
15 V
- Driftstemperatur (Min)
-55 °C
- Monteringssätt
Genomföringshål
- Serie
HEXFET®
- Driftstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor egenskaper
Standard
- U(DSS)
30 V
- Kanaler
1
- Innehåll
1 st
- Utförande
N-kanal
- Typ
IRLB3813PBF
- Hölje
TO-220AB
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 161164 Infineon Technologies IRLB3813PBF MOSFET 1 N-Kanal 230 W TO-220AB
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 161164 Infineon Technologies IRLB3813PBF MOSFET 1 N-Kanal 230 W TO-220AB