Infineon Technologies IRF3710SPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 200 W D2PAK
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
MOSFET
Kapsling
D2PAK
Utförande
N-Kanal
Prestanda (max) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
0.023 Ω
Datablad (PDF)
20 Styck
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
10
-
25,52 kr
30
7% = 1,91 kr
23,61 kr
50
10% = 2,67 kr
22,85 kr
100
12% = 3,18 kr
22,34 kr
200
15% = 3,75 kr
21,77 kr
400
17% = 4,39 kr
21,13 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Minsta beställningsvolym:: 10
Toal (25,52 kr / stycken)
255,20 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
MOSFET
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
IRF3710SPBF-GURT
- Typ av produkt
MOSFET
- Kapsling
D2PAK
- tillverkargaranti
Infineon Technologies
- Utförande
N-Kanal
- I(d)
57 A
- UBR DSS
100 V
- Prestanda (max) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
0.023 Ω
- Monteringssätt
Ytmontering
- Kanaler
1
- Innehåll
1 st
- UKCA
Ja
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 3026452 Infineon Technologies IRF3710SPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 200 W D2PAK
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 3026452 Infineon Technologies IRF3710SPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 200 W D2PAK