Liknande avbildning
Vishay SI2308BDS-T1-GE3 MOSFET 1 N-Kanal 1.66 W SOT-23-3
Typ av produkt
MOSFET
Kapsling
SOT-23-3
Utförande
N-Kanal
Prestanda (max) P(TOT)
1.66 W
R(DS)(on)
156 mΩ
Datablad (PDF)
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Toal (8,48 kr / stycken)
8,48 kr
inkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
MOSFET
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
SI2308BDS-T1-GE3
- Typ av produkt
MOSFET
- Kapsling
SOT-23-3
- tillverkargaranti
Vishay
- Tillv. -förk.
VIS
- Utförande
N-Kanal
- I(d)
2.3 A
- UBR DSS
60 V
- Prestanda (max) P(TOT)
1.66 W
- R(DS)(on)
156 mΩ
- R(DS)(on) referensström
1.9 A
- R(DS)(on) referensspänning
10 V
- U(GS)(th) max.
3 V
- U(GS)(th) referensström max.
250 µA
- Q(G)
6.8 nC
- Q(G) referensspänning
10 V
- C(ISS)
190 pF
- C(ISS) referensspänning
30 V
- Driftstemperatur (Min)
-55 °C
- Monteringssätt
Ytmontering
- Serie
TrenchFET®
- Driftstemperatur (max.)
+150 °C
- Transistor egenskaper
Standard
- U(DSS)
60 V
- Kanaler
1
- Innehåll
1 st
- Typ
SI2308BDS-T1-GE3
- Hölje
SOT-23-3
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 597300 Vishay SI2308BDS-T1-GE3 MOSFET 1 N-Kanal 1.66 W SOT-23-3
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 597300 Vishay SI2308BDS-T1-GE3 MOSFET 1 N-Kanal 1.66 W SOT-23-3
Vilken typ av MOSFET letar du efter?
Tillbehör
(*Alla priser är exkl. moms.)De nödvändiga tillbehören behövs för att kunna använda artikeln som beskrivs
Conrad Electronic
8,15 kr*
Fler intressanta produkter
(*Alla priser är exkl. moms.)
13,90 kr*
