Infineon Technologies IRF8313PBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 2.0 W SO-8
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
MOSFET
Kapsling
SO-8
Utförande
N-Kanal
Prestanda (max) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.0155 Ω
Datablad (PDF)
21 Styck
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
3
-
11,06581 kr
9
8% = 8,02 kr
10,17501 kr
15
11% = 18,71 kr
9,81869 kr
30
13% = 44,52 kr
9,58188 kr
60
16% = 105,10 kr
9,31409 kr
120
19% = 245,79 kr
9,01753 kr
300
21% = 712,42 kr
8,69109 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Minsta beställningsvolym:: 3
Intervaller: 1
Toal (11,06581 kr / stycken)
33,20 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
MOSFET
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
IRF8313PBF-GURT
- Typ av produkt
MOSFET
- Kapsling
SO-8
- tillverkargaranti
Infineon Technologies
- Utförande
N-Kanal
- I(d)
9.7 A
- UBR DSS
30 V
- Prestanda (max) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.0155 Ω
- Monteringssätt
Ytmontering
- Kanaler
1
- Innehåll
1 st
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 3026258 Infineon Technologies IRF8313PBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 2.0 W SO-8
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 3026258 Infineon Technologies IRF8313PBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 2.0 W SO-8
Vilken typ av MOSFET letar du efter?
Tillbehör
(*Alla priser är exkl. moms.)De nödvändiga tillbehören behövs för att kunna använda artikeln som beskrivs
Conrad Electronic
6,52 kr*
Fler intressanta produkter
(*Alla priser är exkl. moms.)
11,12 kr*
9,52 kr*
