STMicroelectronics Transistor (BJT) - matriser ULN2803A DIP-18 Antal kanaler 8 NPN - darlington
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
Transistor (BJT) - matriser
Kapsling
DIP-18
Utförande
NPN - darlington
Kollektorström I (C)
500 mA
Kollektor-emitterspänning U(CEO)
50 V
Datablad (PDF)
11747 Styck
Antal
Toal (13,52 kr / stycken)
13,52 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
Transistor (BJT) - matriser
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
ULN2803A
- Typ av produkt
Transistor (BJT) - matriser
- Kapsling
DIP-18
- tillverkargaranti
STMicroelectronics
- Tillv. -förk.
STM
- Kanaler
8
- Utförande
NPN - darlington
- Kollektorström I (C)
500 mA
- Kollektor-emitterspänning U(CEO)
50 V
- VCE mättnad (max.)
1.6 V
- Prestanda (max) P(TOT)
2.25 W
- DC Strömförstärkning (hFE)
1000
- DC Strömförstärkning hFE - referensström
350 mA
- DC Strömförstärkning hFE - referensspänning
2 V
- Monteringssätt
Genomföringshål
- Innehåll
1 st
- Utförande
Drivkretsmodul
- Typ
ULN2803A
- Hölje
DIL-18
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 171824 STMicroelectronics Transistor (BJT) - matriser ULN2803A DIP-18 Antal kanaler 8 NPN - darlington
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 171824 STMicroelectronics Transistor (BJT) - matriser ULN2803A DIP-18 Antal kanaler 8 NPN - darlington