• Platform for Everything Technical
  • Snabba leveranser
  • Expertis sedan 1923
  • Öppet köp t.o.m. 29 jan

ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ11016G TO-3 Antal kanaler 1 NPN - darlington

Liknande avbildning
Typ av produkt
Transistor (BJT) - diskret
Kapsling
TO-3
Utförande
NPN - darlington
Kollektorström I (C)
30 A
Kollektor-emitterspänning U(CEO)
120 V
Datablad (PDF)
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Leverans mån 9 nov.

103 Styck

Antal
Toal (169,00 kr / stycken)
169,00 kr
prav.tax.untaxed inkl. moms 
exkl. 99,00 kr 
prav.priceAvailability.ecoparticipation.cost ...
prav.priceAvailability.privatecopyingfee.cost ...
utan ytterligare fraktkostnader 
30 dagars öppet köp

Höjdpunkter & detaljer

Darlington effekttransitor

Viktig information!

Tekniska specifikationer

Typ

MJ11016G

Typ av produkt

Transistor (BJT) - diskret

Kapsling

TO-3

tillverkargaranti

ON Semiconductor

Tillv. -förk.

OnS

Kanaler

1

Utförande

NPN - darlington

Kollektorström I (C)

30 A

Kollektor-emitterspänning U(CEO)

120 V

VCE mättnad (max.)

4 V

Kollektor kvarvarande ström I(CES)

1 mA

Prestanda (max) P(TOT)

200 W

DC Strömförstärkning (hFE)

1000

DC Strömförstärkning hFE - referensström

20 A

DC Strömförstärkning hFE - referensspänning

5 V

Övergångsfrekvens f(T)

4 MHz

Monteringssätt

Genomföringshål

Innehåll

1 st

Utförande

NPN

Typ

MJ11016

Hölje

TO-3

Dokument & nedladdningar

Datablad

Datablad 151307 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ11016G TO-3 Antal kanaler 1 NPN - darlington

Bruks- och säkerhetsanvisning

Bruks- och säkerhetsanvisning 151307 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ11016G TO-3 Antal kanaler 1 NPN - darlington

Tillbehör

(*Alla priser är exkl. moms.)

De nödvändiga tillbehören behövs för att kunna använda artikeln som beskrivs

Fler intressanta produkter

(*Alla priser är exkl. moms.)