Liknande avbildning
Liknande avbildning
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ11016G TO-3 Antal kanaler 1 NPN - darlington
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
Transistor (BJT) - diskret
Kapsling
TO-3
Utförande
NPN - darlington
Kollektorström I (C)
30 A
Kollektor-emitterspänning U(CEO)
120 V
Datablad (PDF)
104 Styck
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
1
-
135,20 kr
3
6% = 7,48 kr
127,72 kr
5
8% = 10,48 kr
124,72 kr
10
9% = 12,45 kr
122,75 kr
25
11% = 14,70 kr
120,50 kr
50
13% = 17,18 kr
118,02 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Toal (135,20 kr / stycken)
135,20 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
Darlington effekttransitor
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
MJ11016G
- Typ av produkt
Transistor (BJT) - diskret
- Kapsling
TO-3
- tillverkargaranti
ON Semiconductor
- Tillv. -förk.
OnS
- Kanaler
1
- Utförande
NPN - darlington
- Kollektorström I (C)
30 A
- Kollektor-emitterspänning U(CEO)
120 V
- VCE mättnad (max.)
4 V
- Kollektor kvarvarande ström I(CES)
1 mA
- Prestanda (max) P(TOT)
200 W
- DC Strömförstärkning (hFE)
1000
- DC Strömförstärkning hFE - referensström
20 A
- DC Strömförstärkning hFE - referensspänning
5 V
- Övergångsfrekvens f(T)
4 MHz
- Monteringssätt
Genomföringshål
- Innehåll
1 st
- Utförande
NPN
- Typ
MJ11016
- Hölje
TO-3
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 151307 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ11016G TO-3 Antal kanaler 1 NPN - darlington
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 151307 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ11016G TO-3 Antal kanaler 1 NPN - darlington