ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ11015G TO-3 Antal kanaler 1 PNP - darlington
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
Transistor (BJT) - diskret
Kapsling
TO-3
Utförande
PNP - darlington
Kollektorström I (C)
-30 A
Kollektor-emitterspänning U(CEO)
-120 V
Datablad (PDF)
55 Styck (Bara så länge lagret räcker)
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
1
-
127,20 kr
3
6% = 7,03 kr
120,17 kr
5
8% = 9,86 kr
117,34 kr
10
9% = 11,71 kr
115,49 kr
25
11% = 13,82 kr
113,38 kr
50
13% = 16,17 kr
111,03 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Toal (127,20 kr / stycken)
127,20 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
Darlingtontransistor
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
MJ11015G
- Typ av produkt
Transistor (BJT) - diskret
- Kapsling
TO-3
- tillverkargaranti
ON Semiconductor
- Tillv. -förk.
OnS
- Kanaler
1
- Utförande
PNP - darlington
- Kollektorström I (C)
-30 A
- Kollektor-emitterspänning U(CEO)
-120 V
- VCE mättnad (max.)
-4 V
- Kollektor kvarvarande ström I(CES)
-1 mA
- Prestanda (max) P(TOT)
200 W
- DC Strömförstärkning (hFE)
1000
- DC Strömförstärkning hFE - referensström
-20 A
- DC Strömförstärkning hFE - referensspänning
-5 V
- Övergångsfrekvens f(T)
4 MHz
- Monteringssätt
Genomföringshål
- Innehåll
1 st
- Utförande
PNP
- Typ
MJ11015
- Hölje
TO-204AA
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 151333 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ11015G TO-3 Antal kanaler 1 PNP - darlington
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 151333 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ11015G TO-3 Antal kanaler 1 PNP - darlington