Liknande avbildning
Liknande avbildning
Nexperia Transistor (BJT) - diskret BST52,115 SOT-89-3 Antal kanaler 1 NPN - darlington
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
Transistor (BJT) - diskret
Kapsling
SOT-89-3
Utförande
NPN - darlington
Kollektorström I (C)
1 A
Kollektor-emitterspänning U(CEO)
80 V
Datablad (PDF)
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
100
-
16,72 kr
300
8% = 1,34 kr
15,38 kr
500
11% = 1,89 kr
14,83 kr
1000
13% = 2,24 kr
14,48 kr
2000
16% = 2,65 kr
14,07 kr
4000
19% = 3,10 kr
13,62 kr
10000
21% = 3,59 kr
13,13 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Minsta beställningsvolym:: 100
Intervaller: 100
Toal (16,72 kr / stycken)
1 672,00 kr
exkl. moms
Fri frakt
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
Transistor
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
BST52,115
- Typ av produkt
Transistor (BJT) - diskret
- Kapsling
SOT-89-3
- tillverkargaranti
Nexperia
- Tillv. -förk.
NEX
- Kanaler
1
- Utförande
NPN - darlington
- Kollektorström I (C)
1 A
- Kollektor-emitterspänning U(CEO)
80 V
- VCE mättnad (max.)
1.3 V
- Kollektor kvarvarande ström I(CES)
50 nA
- Prestanda (max) P(TOT)
1.3 W
- DC Strömförstärkning (hFE)
2000
- DC Strömförstärkning hFE - referensström
500 mA
- DC Strömförstärkning hFE - referensspänning
10 V
- Övergångsfrekvens f(T)
200 MHz
- Monteringssätt
Ytmontering
- Innehåll
1 st
- Typ
BST52,115
- Hölje
SOT-89
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 1113277 Nexperia Transistor (BJT) - diskret BST52,115 SOT-89-3 Antal kanaler 1 NPN - darlington