Liknande avbildning
Liknande avbildning
Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCV29 SOT-89 Antal kanaler 1 NPN - darlington
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
Transistor (BJT) - diskret
Kapsling
SOT-89
Utförande
NPN - darlington
Kollektorström I (C)
500 mA
Kollektor-emitterspänning U(CEO)
30 V
Datablad (PDF)
358 Styck (Bara så länge lagret räcker)
Antal
Toal (1,30 kr / stycken)
1,30 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
NPN-Darlington-Transistor
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
BCV29
- Typ av produkt
Transistor (BJT) - diskret
- Kapsling
SOT-89
- tillverkargaranti
Infineon Technologies
- Tillv. -förk.
INF
- Kanaler
1
- Utförande
NPN - darlington
- Kollektorström I (C)
500 mA
- Kollektor-emitterspänning U(CEO)
30 V
- VCE mättnad (max.)
1 V
- Kollektor kvarvarande ström I(CES)
100 nA
- Prestanda (max) P(TOT)
1 W
- DC Strömförstärkning (hFE)
20000
- DC Strömförstärkning hFE - referensström
100 mA
- DC Strömförstärkning hFE - referensspänning
5 V
- Övergångsfrekvens f(T)
150 MHz
- Monteringssätt
Ytmontering
- RoHS-godkänd
Ja
- Innehåll
1 st
- Utförande
NPN
- Typ
BCV29
- Hölje
SOT-89
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 152949 Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCV29 SOT-89 Antal kanaler 1 NPN - darlington
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 152949 Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCV29 SOT-89 Antal kanaler 1 NPN - darlington
Beskrivning
NPN-Darlington-Transistor (12 mm-band).