Liknande avbildning
Liknande avbildning
Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCV27 SOT-23-3 Antal kanaler 1 NPN - darlington Tape cut
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Förpackningstyp
Tape cut
Typ av produkt
Transistor (BJT) - diskret
Kapsling
SOT-23-3
Utförande
NPN - darlington
Kollektorström I (C)
500 mA
Datablad (PDF)
2046 Styck
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
20
-
1,70 kr
60
9% = 0,16 kr
1,54 kr
100
13% = 0,22 kr
1,48 kr
200
15% = 0,26 kr
1,44 kr
400
18% = 0,31 kr
1,39 kr
800
21% = 0,36 kr
1,34 kr
2000
24% = 0,41 kr
1,29 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Minsta beställningsvolym:: 20
Toal (1,70 kr / stycken)
34,00 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
NPN-transistor
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Förpackningstyp
Tape cut
- Typ
BCV27
- Typ av produkt
Transistor (BJT) - diskret
- Kapsling
SOT-23-3
- tillverkargaranti
Infineon Technologies
- Tillv. -förk.
INF
- Kanaler
1
- Utförande
NPN - darlington
- Kollektorström I (C)
500 mA
- Kollektor-emitterspänning U(CEO)
30 V
- VCE mättnad (max.)
1 V
- Kollektor kvarvarande ström I(CES)
100 nA
- Prestanda (max) P(TOT)
360 mW
- DC Strömförstärkning (hFE)
20000
- DC Strömförstärkning hFE - referensström
100 mA
- DC Strömförstärkning hFE - referensspänning
5 V
- Övergångsfrekvens f(T)
170 MHz
- Monteringssätt
Ytmontering
- Innehåll
1 st
- Utförande
NPN
- Typ
BCV27
- Hölje
SOT-23
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 152922 Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCV27 SOT-23-3 Antal kanaler 1 NPN - darlington Tape cut
Beskrivning
NPN-transistor (8 mm-band).