Liknande avbildning
Infineon Technologies IRF5210PBF MOSFET 1 P-Kanal 200 W TO-220
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
MOSFET
Kapsling
TO-220
Utförande
P-Kanal
Prestanda (max) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
60 mΩ
Datablad (PDF)
176 Styck
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
1
-
33,52 kr
10
7% = 25,00 kr
31,02 kr
25
10% = 87,75 kr
30,01 kr
50
12% = 209,00 kr
29,34 kr
100
15% = 493,00 kr
28,59 kr
250
17% = 1 442,50 kr
27,75 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Toal (33,52 kr / stycken)
33,52 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
Power MOSFET, P-kanal
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
IRF5210PBF
- Typ av produkt
MOSFET
- Kapsling
TO-220
- tillverkargaranti
Infineon Technologies
- Tillv. -förk.
INF
- Utförande
P-Kanal
- I(d)
40 A
- UBR DSS
100 V
- Prestanda (max) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
60 mΩ
- R(DS)(on) referensström
24 A
- R(DS)(on) referensspänning
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) referensström max.
250 µA
- Q(G)
180 nC
- Q(G) referensspänning
10 V
- C(ISS)
2700 pF
- C(ISS) referensspänning
25 V
- Driftstemperatur (Min)
-55 °C
- Monteringssätt
Genomföringshål
- Serie
HEXFET®
- Driftstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor egenskaper
Standard
- U(DSS)
100 V
- Kanaler
1
- Innehåll
1 st
- Utförande
P-kanal
- Typ
IRF5210
- Beskrivning
-100 V/-40 A
- Hölje
TO-220
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 162406 Infineon Technologies IRF5210PBF MOSFET 1 P-Kanal 200 W TO-220
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 162406 Infineon Technologies IRF5210PBF MOSFET 1 P-Kanal 200 W TO-220
Köps ofta tillsammans
(*Alla priser är exkl. moms.) Denna artikel
Conrad Electronic
33,52 kr*
Conrad Electronic
32,60 kr*
Totalbelopp:
66,12 kr*
Vilken typ av MOSFET letar du efter?
Tillbehör
(*Alla priser är exkl. moms.)De nödvändiga tillbehören behövs för att kunna använda artikeln som beskrivs
Conrad Electronic
6,52 kr*
Fler intressanta produkter
(*Alla priser är exkl. moms.)
11,12 kr*
