Liknande avbildning
Liknande avbildning
Infineon Technologies IRF9530NPBF MOSFET 1 P-Kanal 79 W TO-220
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
MOSFET
Kapsling
TO-220
Utförande
P-Kanal
Prestanda (max) P(TOT)
79 W
R(DS)(on)
200 mΩ
Datablad (PDF)
85 Styck
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
3
-
14,32 kr
9
8% = 1,15 kr
13,17 kr
15
11% = 1,62 kr
12,70 kr
30
13% = 1,92 kr
12,40 kr
60
16% = 2,26 kr
12,06 kr
120
19% = 2,65 kr
11,67 kr
300
21% = 3,07 kr
11,25 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Minsta beställningsvolym:: 3
Toal (14,32 kr / stycken)
42,96 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
Power MOSFET, P-kanal
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
IRF9530NPBF
- Typ av produkt
MOSFET
- Kapsling
TO-220
- tillverkargaranti
Infineon Technologies
- Tillv. -förk.
INF
- Utförande
P-Kanal
- I(d)
14 A
- UBR DSS
100 V
- Prestanda (max) P(TOT)
79 W
- R(DS)(on)
200 mΩ
- R(DS)(on) referensström
8.4 A
- R(DS)(on) referensspänning
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) referensström max.
250 µA
- Q(G)
58 nC
- Q(G) referensspänning
10 V
- C(ISS)
760 pF
- C(ISS) referensspänning
25 V
- Driftstemperatur (Min)
-55 °C
- Monteringssätt
Genomföringshål
- Serie
HEXFET®
- Driftstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor egenskaper
Standard
- U(DSS)
100 V
- Kanaler
1
- Innehåll
1 st
- Utförande
P-kanal
- Typ
IRF9530N
- Beskrivning
-100 V/12 A
- Hölje
TO-220
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 162536 Infineon Technologies IRF9530NPBF MOSFET 1 P-Kanal 79 W TO-220
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 162536 Infineon Technologies IRF9530NPBF MOSFET 1 P-Kanal 79 W TO-220