Liknande avbildning
Infineon Technologies IRF1010E MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
MOSFET
Kapsling
TO-220
Utförande
N-Kanal
Prestanda (max) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
12 mΩ
Datablad (PDF)
415 Styck
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
3
-
16,72 kr
9
8% = 12,06 kr
15,38 kr
15
11% = 28,35 kr
14,83 kr
30
13% = 67,20 kr
14,48 kr
60
16% = 159,00 kr
14,07 kr
120
19% = 372,00 kr
13,62 kr
300
21% = 1 077,00 kr
13,13 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Minsta beställningsvolym:: 3
Toal (16,72 kr / stycken)
50,16 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
MOSFET (HEXFET / FETKY)
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
IRF1010E
- Typ av produkt
MOSFET
- Kapsling
TO-220
- tillverkargaranti
Infineon Technologies
- Tillv. -förk.
INF
- Utförande
N-Kanal
- I(d)
84 A
- UBR DSS
60 V
- Prestanda (max) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
12 mΩ
- R(DS)(on) referensström
50 A
- R(DS)(on) referensspänning
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) referensström max.
250 µA
- Q(G)
130 nC
- Q(G) referensspänning
10 V
- C(ISS)
3210 pF
- C(ISS) referensspänning
25 V
- Driftstemperatur (Min)
-55 °C
- Monteringssätt
Genomföringshål
- Serie
HEXFET®
- Driftstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor egenskaper
Standard
- U(DSS)
60 V
- Kanaler
1
- Innehåll
1 st
- Utförande
N-kanal
- Typ
IRF1010E
- Beskrivning
60 V/81 A
- Hölje
TO-220
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 162358 Infineon Technologies IRF1010E MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 162358 Infineon Technologies IRF1010E MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220
Köps ofta tillsammans
(*Alla priser är exkl. moms.)
Conrad Electronic
32,60 kr*
Totalbelopp:
82,76 kr*
Vilken typ av MOSFET letar du efter?
Tillbehör
(*Alla priser är exkl. moms.)De nödvändiga tillbehören behövs för att kunna använda artikeln som beskrivs
Conrad Electronic
6,52 kr*
Fler intressanta produkter
(*Alla priser är exkl. moms.)
11,12 kr*
9,52 kr*
