Liknande avbildning
Liknande avbildning
Diotec Transistor (BJT) - diskret BC817-40 SOT-23 NPN
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
Transistor (BJT) - diskret
Kapsling
SOT-23
Utförande
NPN
Kollektorström I (C)
800 mA
Kollektor-emitterspänning U(CEO)
45 V
Datablad (PDF)
470 Styck
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
100
-
0,38 kr
300
11% = 0,04 kr
0,34 kr
500
13% = 0,05 kr
0,33 kr
1000
16% = 0,06 kr
0,32 kr
2000
18% = 0,07 kr
0,31 kr
4000
21% = 0,08 kr
0,30 kr
10000
24% = 0,09 kr
0,29 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Minsta beställningsvolym:: 100
Toal (0,38 kr / stycken)
kr
Tekniska specifikationer
- Typ SMDKapsling SOT-23Kollektor spänning - VCEO: 45 V.DC Kollektorström - IC 800 mAPolaritet - pol: NPNSkikt temperatur - Tjmax 150 °C.Effektförlust - ptot 0.310 W.Kollektor bas strömförhållande - hfe: 400VCE, 1 V.IC 100 mAKollektor mättnadsspänning - VCEsat: 700 mVIC 500 mAIB: 50 mAÖvergångsfrekvens - ft: 100 MHzIC 10 mAVCE, 5 V.f: 50 MHz
- Typ
BC817-40
- Typ av produkt
Transistor (BJT) - diskret
- Kapsling
SOT-23
- tillverkargaranti
Diotec
- Utförande
NPN
- Kollektorström I (C)
800 mA
- Kollektor-emitterspänning U(CEO)
45 V
- VCE mättnad (max.)
700 mV
- Prestanda (max) P(TOT)
0.31 W
- DC Strömförstärkning (hFE)
400
- Övergångsfrekvens f(T)
50 MHz
- Monteringssätt
Ytmontering
- RoHS-godkänd
Ja
- Innehåll
1 st
- Driftstemperatur (max.)
150 °C
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 2809198 Diotec Transistor (BJT) - diskret BC817-40 SOT-23 NPN