Liknande avbildning
Liknande avbildning
Vishay SI4948BEY-T1-E3 MOSFET 2 P-Kanal 1.4 W SOIC-8
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
MOSFET
Kapsling
SOIC-8
Utförande
P-Kanal
Prestanda (max) P(TOT)
1.4 W
R(DS)(on)
120 mΩ
Datablad (PDF)
2464 Styck (Bara så länge lagret räcker)
Antal
Toal (3,52 kr / stycken)
25,52 kr
-86 %
3,52 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
MOSFET
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
SI4948BEY-T1-E3
- Typ av produkt
MOSFET
- Kapsling
SOIC-8
- tillverkargaranti
Vishay
- Tillv. -förk.
VIS
- Utförande
P-Kanal
- I(d)
2.4 A
- UBR DSS
60 V
- Prestanda (max) P(TOT)
1.4 W
- R(DS)(on)
120 mΩ
- R(DS)(on) referensström
3.1 A
- R(DS)(on) referensspänning
10 V
- U(GS)(th) max.
3 V
- U(GS)(th) referensström max.
250 µA
- Q(G)
22 nC
- Q(G) referensspänning
10 V
- Driftstemperatur (Min)
-55 °C
- Monteringssätt
Ytmontering
- Serie
TrenchFET®
- Driftstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor egenskaper
Logic Level Gate
- U(DSS)
60 V
- Kanaler
2
- Innehåll
1 st
- Typ
SI4948BEY-T1-E3
- Hölje
SOIC-8
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 597348 Vishay SI4948BEY-T1-E3 MOSFET 2 P-Kanal 1.4 W SOIC-8
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 597348 Vishay SI4948BEY-T1-E3 MOSFET 2 P-Kanal 1.4 W SOIC-8