STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD139 SOT-32 Antal kanaler 1 NPN
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
Transistor (BJT) - diskret
Kapsling
SOT-32
Utförande
NPN
Kollektorström I (C)
1.5 A
Kollektor-emitterspänning U(CEO)
80 V
Datablad (PDF)
177 Styck (Bara så länge lagret räcker)
Antal
Toal (1,33 kr / stycken)
2,54 kr
-48 %
1,33 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
Transistorer
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
BD139
- Typ av produkt
Transistor (BJT) - diskret
- Kapsling
SOT-32
- tillverkargaranti
STMicroelectronics
- Tillv. -förk.
STM
- Kanaler
1
- Utförande
NPN
- Kollektorström I (C)
1.5 A
- Kollektor-emitterspänning U(CEO)
80 V
- VCE mättnad (max.)
500 mV
- Kollektor kvarvarande ström I(CES)
100 nA
- Prestanda (max) P(TOT)
1.25 W
- DC Strömförstärkning (hFE)
40
- DC Strömförstärkning hFE - referensström
150 mA
- DC Strömförstärkning hFE - referensspänning
2 V
- Monteringssätt
Genomföringshål
- Innehåll
1 st
- Utförande
NPN
- Typ
BD139
- Hölje
SOT-32
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 155405 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD139 SOT-32 Antal kanaler 1 NPN
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 155405 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD139 SOT-32 Antal kanaler 1 NPN