Liknande avbildning
Liknande avbildning
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJE13007G TO-220AB Antal kanaler 1 NPN
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
Transistor (BJT) - diskret
Kapsling
TO-220AB
Utförande
NPN
Kollektorström I (C)
8 A
Kollektor-emitterspänning U(CEO)
400 V
6 Styck
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
3
-
25,52 kr
9
7% = 1,91 kr
23,61 kr
15
10% = 2,67 kr
22,85 kr
30
12% = 3,18 kr
22,34 kr
60
15% = 3,75 kr
21,77 kr
120
17% = 4,39 kr
21,13 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Minsta beställningsvolym:: 3
Toal (25,52 kr / stycken)
76,56 kr
exkl. moms
Endast 6 Styck kvar på lager
Höjdpunkter & detaljer
Effekttransistor
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
MJE13007G
- Typ av produkt
Transistor (BJT) - diskret
- Kapsling
TO-220AB
- tillverkargaranti
ON Semiconductor
- Tillv. -förk.
OnS
- Kanaler
1
- Utförande
NPN
- Kollektorström I (C)
8 A
- Kollektor-emitterspänning U(CEO)
400 V
- VCE mättnad (max.)
3 V
- Kollektor kvarvarande ström I(CES)
100 µA
- Prestanda (max) P(TOT)
80 W
- Serie
SWITCHMODE™
- DC Strömförstärkning (hFE)
5
- DC Strömförstärkning hFE - referensström
5 A
- DC Strömförstärkning hFE - referensspänning
5 V
- Övergångsfrekvens f(T)
14 MHz
- Monteringssätt
Genomföringshål
- Innehåll
1 st
- Utförande
NPN
- Typ
MJE13007
- Hölje
TO-220AB
Dokument & nedladdningar
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 151208 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJE13007G TO-220AB Antal kanaler 1 NPN