Liknande avbildning
Liknande avbildning
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD809 TO-220AB Antal kanaler 1 NPN
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
Transistor (BJT) - diskret
Kapsling
TO-220AB
Utförande
NPN
Kollektorström I (C)
10 A
Kollektor-emitterspänning U(CEO)
80 V
Datablad (PDF)
10 Styck (Bara så länge lagret räcker)
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
3
-
14,32 kr
9
8% = 1,15 kr
13,17 kr
15
11% = 1,62 kr
12,70 kr
30
13% = 1,92 kr
12,40 kr
60
16% = 2,26 kr
12,06 kr
120
19% = 2,65 kr
11,67 kr
300
21% = 3,07 kr
11,25 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Minsta beställningsvolym:: 3
Toal (14,32 kr / stycken)
42,96 kr
exkl. moms
Endast 10 Styck kvar på lager
Höjdpunkter & detaljer
Bipolär standard effekttransistor
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
BD809
- Typ av produkt
Transistor (BJT) - diskret
- Kapsling
TO-220AB
- tillverkargaranti
ON Semiconductor
- Kanaler
1
- Utförande
NPN
- Kollektorström I (C)
10 A
- Kollektor-emitterspänning U(CEO)
80 V
- VCE mättnad (max.)
1.1 V
- Kollektor kvarvarande ström I(CES)
1 mA
- Prestanda (max) P(TOT)
90 W
- DC Strömförstärkning (hFE)
15
- DC Strömförstärkning hFE - referensström
4 A
- DC Strömförstärkning hFE - referensspänning
2 V
- Övergångsfrekvens f(T)
1.5 MHz
- Monteringssätt
Genomföringshål
- Innehåll
1 st
- Utförande
NPN
- Typ
BD809
- Hölje
TO-220AB
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 156400 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD809 TO-220AB Antal kanaler 1 NPN
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 156400 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD809 TO-220AB Antal kanaler 1 NPN
Beskrivning
Tips: Tillverkare SIE=INF,HAR=FSC,MOT=ONS.