Liknande avbildning
Liknande avbildning
NXP Semiconductors Transistor (BJT) - diskret PHE13009,127 TO-220AB Antal kanaler 1 NPN
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
Transistor (BJT) - diskret
Kapsling
TO-220AB
Utförande
NPN
Kollektorström I (C)
12 A
Kollektor-emitterspänning U(CEO)
400 V
Datablad (PDF)
54 Styck
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
1
-
19,92 kr
10
8% = 1,60 kr
18,32 kr
25
11% = 2,25 kr
17,67 kr
50
13% = 2,67 kr
17,25 kr
100
16% = 3,15 kr
16,77 kr
250
19% = 3,69 kr
16,23 kr
500
21% = 4,27 kr
15,65 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Toal (19,92 kr / stycken)
19,92 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
Effekttransistor
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
PHE13009,127
- Typ av produkt
Transistor (BJT) - diskret
- Kapsling
TO-220AB
- tillverkargaranti
NXP Semiconductors
- Tillv. -förk.
NXP
- Kanaler
1
- Utförande
NPN
- Kollektorström I (C)
12 A
- Kollektor-emitterspänning U(CEO)
400 V
- VCE mättnad (max.)
2 V
- Kollektor kvarvarande ström I(CES)
100 µA
- Prestanda (max) P(TOT)
80 W
- DC Strömförstärkning (hFE)
8
- DC Strömförstärkning hFE - referensström
5 A
- DC Strömförstärkning hFE - referensspänning
5 V
- Monteringssätt
Genomföringshål
- Innehåll
1 st
- Utförande
NPN
- Typ
MJE13009
- Hölje
TO-220FRÅN
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 150857 NXP Semiconductors Transistor (BJT) - diskret PHE13009,127 TO-220AB Antal kanaler 1 NPN
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 150857 NXP Semiconductors Transistor (BJT) - diskret PHE13009,127 TO-220AB Antal kanaler 1 NPN