Liknande avbildning
Liknande avbildning
Infineon Technologies Transistor (BJT) - matriser, förspänning BCR148S SOT-363 Antal kanaler 2 NPN - förspänd Tape cut
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Förpackningstyp
Tape cut
Typ av produkt
Transistor (BJT) - matriser, förspänning
Kapsling
SOT-363
Utförande
NPN - förspänd
Kollektorström I (C)
100 mA
Datablad (PDF)
1014 Styck
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
30
-
1,09 kr
90
9% = 0,10 kr
0,99 kr
150
13% = 0,14 kr
0,95 kr
300
16% = 0,17 kr
0,92 kr
600
17% = 0,19 kr
0,90 kr
1200
21% = 0,23 kr
0,86 kr
3000
25% = 0,27 kr
0,82 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Minsta beställningsvolym:: 30
Toal (1,09 kr / stycken)
32,70 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
Dubbel-Digitaltransistor-nät
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Förpackningstyp
Tape cut
- Typ
BCR148S
- Typ av produkt
Transistor (BJT) - matriser, förspänning
- Kapsling
SOT-363
- tillverkargaranti
Infineon Technologies
- Tillv. -förk.
INF
- Kanaler
2
- Utförande
NPN - förspänd
- Kollektorström I (C)
100 mA
- Kollektor-emitterspänning U(CEO)
50 V
- VCE mättnad (max.)
300 mV
- Prestanda (max) P(TOT)
250 mW
- DC Strömförstärkning (hFE)
70
- DC Strömförstärkning hFE - referensström
5 mA
- DC Strömförstärkning hFE - referensspänning
5 V
- Övergångsfrekvens f(T)
100 MHz
- Monteringssätt
Ytmontering
- Innehåll
1 st
- Utförande
NPN
- Typ
BCR148S
- Hölje
SOT-363
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 154134 Infineon Technologies Transistor (BJT) - matriser, förspänning BCR148S SOT-363 Antal kanaler 2 NPN - förspänd Tape cut
Beskrivning
Dubbel-Digitaltransistor-nät.