Liknande avbildning
Liknande avbildning
Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BC847B SOT-23-3 Antal kanaler 1 NPN
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
Transistor (BJT) - diskret
Kapsling
SOT-23-3
Utförande
NPN
Kollektorström I (C)
100 mA
Kollektor-emitterspänning U(CEO)
45 V
Datablad (PDF)
1896 Styck
Mer information om lagerstatus.
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
50
-
0,88 kr
150
9% = 0,08 kr
0,80 kr
250
12% = 0,11 kr
0,77 kr
500
16% = 0,14 kr
0,74 kr
1000
18% = 0,16 kr
0,72 kr
2000
20% = 0,18 kr
0,70 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Minsta beställningsvolym:: 50
Toal (0,88 kr / stycken)
kr
Tekniska specifikationer
- Typ
BC847B
- Typ av produkt
Transistor (BJT) - diskret
- Kapsling
SOT-23-3
- tillverkargaranti
Infineon Technologies
- Tillv. -förk.
INF
- Kanaler
1
- Utförande
NPN
- Kollektorström I (C)
100 mA
- Kollektor-emitterspänning U(CEO)
45 V
- VCE mättnad (max.)
600 mV
- Kollektor kvarvarande ström I(CES)
15 nA
- Prestanda (max) P(TOT)
330 mW
- DC Strömförstärkning (hFE)
200
- DC Strömförstärkning hFE - referensström
2 mA
- DC Strömförstärkning hFE - referensspänning
5 V
- Övergångsfrekvens f(T)
250 MHz
- Monteringssätt
Ytmontering
- Innehåll
1 st
- Utförande
NPN
- Typ
BC847B
- Hölje
SOT-23
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 153157 Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BC847B SOT-23-3 Antal kanaler 1 NPN
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 153157 Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BC847B SOT-23-3 Antal kanaler 1 NPN
Beskrivning
NPN-transistorer (8 mm-band)