Liknande avbildning
Liknande avbildning
Infineon Technologies IRLML2060TRPBF MOSFET 1 N-Kanal 1.25 W SOT-23
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
MOSFET
Kapsling
SOT-23
Utförande
N-Kanal
Prestanda (max) P(TOT)
1.25 W
R(DS)(on)
480 mΩ
Datablad (PDF)
11200 Styck
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
100
-
1,57 kr
300
10% = 0,15 kr
1,42 kr
500
13% = 0,20 kr
1,37 kr
1000
15% = 0,24 kr
1,33 kr
2000
18% = 0,28 kr
1,29 kr
4000
21% = 0,33 kr
1,24 kr
10000
25% = 0,39 kr
1,18 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Minsta beställningsvolym:: 100
Intervaller: 100
Toal (1,57 kr / stycken)
157,00 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
MOSFET
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
IRLML2060TRPBF
- Typ av produkt
MOSFET
- Kapsling
SOT-23
- tillverkargaranti
Infineon Technologies
- Tillv. -förk.
INF
- Utförande
N-Kanal
- I(d)
1.2 A
- UBR DSS
60 V
- Prestanda (max) P(TOT)
1.25 W
- R(DS)(on)
480 mΩ
- R(DS)(on) referensström
1.2 A
- R(DS)(on) referensspänning
10 V
- U(GS)(th) max.
2.5 V
- U(GS)(th) referensström max.
25 µA
- Q(G)
0.67 nC
- Q(G) referensspänning
4.5 V
- C(ISS)
64 pF
- C(ISS) referensspänning
25 V
- Driftstemperatur (Min)
-55 °C
- Monteringssätt
Ytmontering
- Serie
HEXFET®
- Driftstemperatur (max.)
+150 °C
- Transistor egenskaper
Standard
- U(DSS)
60 V
- Kanaler
1
- Innehåll
1 st
- Utförande
N-kanal
- Typ
IRLML2060TRPBF
- Hölje
SOT-23
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 161185 Infineon Technologies IRLML2060TRPBF MOSFET 1 N-Kanal 1.25 W SOT-23
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 161185 Infineon Technologies IRLML2060TRPBF MOSFET 1 N-Kanal 1.25 W SOT-23