Liknande avbildning
Liknande avbildning
Infineon Technologies IRLML2030TRPBF MOSFET 1 N-Kanal 1.3 W SOT-23
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
MOSFET
Kapsling
SOT-23
Utförande
N-Kanal
Prestanda (max) P(TOT)
1.3 W
R(DS)(on)
100 mΩ
Datablad (PDF)
1528 Styck
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
15
-
3,39 kr
45
9% = 0,31 kr
3,08 kr
75
13% = 0,43 kr
2,96 kr
150
15% = 0,51 kr
2,88 kr
300
18% = 0,61 kr
2,78 kr
600
21% = 0,71 kr
2,68 kr
1500
24% = 0,82 kr
2,57 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Minsta beställningsvolym:: 15
Toal (3,39 kr / stycken)
50,85 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
MOSFET
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
IRLML2030TRPBF
- Typ av produkt
MOSFET
- Kapsling
SOT-23
- tillverkargaranti
Infineon Technologies
- Tillv. -förk.
INF
- Utförande
N-Kanal
- I(d)
2.7 A
- UBR DSS
30 V
- Prestanda (max) P(TOT)
1.3 W
- R(DS)(on)
100 mΩ
- R(DS)(on) referensström
2.7 A
- R(DS)(on) referensspänning
10 V
- U(GS)(th) max.
2.3 V
- U(GS)(th) referensström max.
25 µA
- Q(G)
1 nC
- Q(G) referensspänning
4.5 V
- C(ISS)
110 pF
- C(ISS) referensspänning
15 V
- Driftstemperatur (Min)
-55 °C
- Monteringssätt
Ytmontering
- Serie
HEXFET®
- Driftstemperatur (max.)
+150 °C
- Transistor egenskaper
Standard
- U(DSS)
30 V
- Kanaler
1
- Innehåll
1 st
- Utförande
N-kanal
- Typ
IRLML2030TRPBF
- Hölje
SOT-23
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 161184 Infineon Technologies IRLML2030TRPBF MOSFET 1 N-Kanal 1.3 W SOT-23
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 161184 Infineon Technologies IRLML2030TRPBF MOSFET 1 N-Kanal 1.3 W SOT-23