Liknande avbildning
Liknande avbildning
Infineon Technologies IRFP90N20DPBF MOSFET 1 N-Kanal 580 W TO-247-3
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
MOSFET
Kapsling
TO-247-3
Utförande
N-Kanal
Prestanda (max) P(TOT)
580 W
R(DS)(on)
23 mΩ
Datablad (PDF)
110 Styck
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
5
-
63,20 kr
15
6% = 3,84 kr
59,36 kr
25
9% = 5,38 kr
57,82 kr
50
10% = 6,41 kr
56,79 kr
100
12% = 7,56 kr
55,64 kr
200
14% = 8,84 kr
54,36 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Minsta beställningsvolym:: 5
Intervaller: 5
Toal (63,20 kr / stycken)
316,00 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
MOSFET
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
IRFP90N20DPBF
- Typ av produkt
MOSFET
- Kapsling
TO-247-3
- tillverkargaranti
Infineon Technologies
- Tillv. -förk.
INF
- Utförande
N-Kanal
- I(d)
94 A
- UBR DSS
200 V
- Prestanda (max) P(TOT)
580 W
- R(DS)(on)
23 mΩ
- R(DS)(on) referensström
56 A
- R(DS)(on) referensspänning
10 V
- U(GS)(th) max.
5 V
- U(GS)(th) referensström max.
250 µA
- Q(G)
270 nC
- Q(G) referensspänning
10 V
- C(ISS)
6040 pF
- C(ISS) referensspänning
25 V
- Driftstemperatur (Min)
-55 °C
- Monteringssätt
Genomföringshål
- Serie
HEXFET®
- Driftstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor egenskaper
Standard
- U(DSS)
200 V
- Kanaler
1
- Innehåll
1 st
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 564074 Infineon Technologies IRFP90N20DPBF MOSFET 1 N-Kanal 580 W TO-247-3
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 564074 Infineon Technologies IRFP90N20DPBF MOSFET 1 N-Kanal 580 W TO-247-3