Liknande avbildning
Liknande avbildning
Infineon Technologies IRFP4468PBF MOSFET 1 N-Kanal 520 W TO-247AC
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
MOSFET
Kapsling
TO-247AC
Utförande
N-Kanal
Prestanda (max) P(TOT)
520 W
R(DS)(on)
2.6 mΩ
Datablad (PDF)
15 Styck
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
1
-
183,20 kr
3
5% = 9,09 kr
174,11 kr
5
7% = 12,71 kr
170,49 kr
10
8% = 15,15 kr
168,05 kr
25
10% = 17,86 kr
165,34 kr
50
11% = 20,90 kr
162,30 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Toal (183,20 kr / stycken)
183,20 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
Transistor unipolär (MOSFET)
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
IRFP4468PBF
- Typ av produkt
MOSFET
- Kapsling
TO-247AC
- tillverkargaranti
Infineon Technologies
- Tillv. -förk.
INF
- Utförande
N-Kanal
- I(d)
195 A
- UBR DSS
100 V
- Prestanda (max) P(TOT)
520 W
- R(DS)(on)
2.6 mΩ
- R(DS)(on) referensström
180 A
- R(DS)(on) referensspänning
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) referensström max.
250 µA
- Q(G)
540 nC
- Q(G) referensspänning
10 V
- C(ISS)
19860 pF
- C(ISS) referensspänning
50 V
- Driftstemperatur (Min)
-55 °C
- Monteringssätt
Genomföringshål
- Serie
HEXFET®
- Driftstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor egenskaper
Standard
- U(DSS)
100 V
- Kanaler
1
- Innehåll
1 st
- Utförande
N-kanal
- Typ
IRFP4468PBF
- Hölje
TO-247AC
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 161038 Infineon Technologies IRFP4468PBF MOSFET 1 N-Kanal 520 W TO-247AC
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 161038 Infineon Technologies IRFP4468PBF MOSFET 1 N-Kanal 520 W TO-247AC