Liknande avbildning
Liknande avbildning
Infineon Technologies IRFP3710PBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-247-3
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
MOSFET
Kapsling
TO-247-3
Utförande
N-Kanal
Prestanda (max) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
25 mΩ
Datablad (PDF)
98 Styck
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
1
-
33,52 kr
10
7% = 2,50 kr
31,02 kr
25
10% = 3,51 kr
30,01 kr
50
12% = 4,18 kr
29,34 kr
100
15% = 4,93 kr
28,59 kr
250
17% = 5,77 kr
27,75 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Toal (33,52 kr / stycken)
33,52 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
MOSFET (HEXFET/FETKY)
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
IRFP3710PBF
- Typ av produkt
MOSFET
- Kapsling
TO-247-3
- tillverkargaranti
Infineon Technologies
- Tillv. -förk.
INF
- Utförande
N-Kanal
- I(d)
57 A
- UBR DSS
100 V
- Prestanda (max) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
25 mΩ
- R(DS)(on) referensström
28 A
- R(DS)(on) referensspänning
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) referensström max.
250 µA
- Q(G)
190 nC
- Q(G) referensspänning
10 V
- C(ISS)
3000 pF
- C(ISS) referensspänning
25 V
- Driftstemperatur (Min)
-55 °C
- Monteringssätt
Genomföringshål
- Serie
HEXFET®
- Driftstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor egenskaper
Standard
- U(DSS)
100 V
- Kanaler
1
- Innehåll
1 st
- Utförande
N-kanal
- Typ
IRFP3710
- Beskrivning
100 V/51 A
- Hölje
TO-247
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 162653 Infineon Technologies IRFP3710PBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-247-3
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 162653 Infineon Technologies IRFP3710PBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-247-3
Beskrivning
En MOSFET-transistor är en spänningsstyrd komponent som kan anslutas direkt till högohmig källa. Den är därför lämplig för användning som omkopplare eller analog förstärkare. Denna transistor är µC-, TTL- och CMOS-kompatibel. Tips: Tillverkare SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.