Liknande avbildning
Liknande avbildning
Infineon Technologies IRFB4019PBF MOSFET 1 N-Kanal 80 W TO-220AB
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
MOSFET
Kapsling
TO-220AB
Utförande
N-Kanal
Prestanda (max) P(TOT)
80 W
R(DS)(on)
95 mΩ
Datablad (PDF)
48 Styck
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
1
-
19,92 kr
10
8% = 1,60 kr
18,32 kr
25
11% = 2,25 kr
17,67 kr
50
13% = 2,67 kr
17,25 kr
100
16% = 3,15 kr
16,77 kr
250
19% = 3,69 kr
16,23 kr
500
21% = 4,27 kr
15,65 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Toal (19,92 kr / stycken)
19,92 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
Transistor unipolär (MOSFET)
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
IRFB4019PBF
- Typ av produkt
MOSFET
- Kapsling
TO-220AB
- tillverkargaranti
Infineon Technologies
- Tillv. -förk.
INF
- Utförande
N-Kanal
- I(d)
17 A
- UBR DSS
150 V
- Prestanda (max) P(TOT)
80 W
- R(DS)(on)
95 mΩ
- R(DS)(on) referensström
10 A
- R(DS)(on) referensspänning
10 V
- U(GS)(th) max.
4.9 V
- U(GS)(th) referensström max.
50 µA
- Q(G)
20 nC
- Q(G) referensspänning
10 V
- C(ISS)
800 pF
- C(ISS) referensspänning
50 V
- Driftstemperatur (Min)
-55 °C
- Monteringssätt
Genomföringshål
- Driftstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor egenskaper
Standard
- U(DSS)
150 V
- Kanaler
1
- Innehåll
1 st
- Utförande
N-kanal
- Typ
IRFB4019PBF
- Hölje
TO-220AB
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 160930 Infineon Technologies IRFB4019PBF MOSFET 1 N-Kanal 80 W TO-220AB
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 160930 Infineon Technologies IRFB4019PBF MOSFET 1 N-Kanal 80 W TO-220AB