Liknande avbildning
Liknande avbildning
Infineon Technologies IRF7103PBF-GURT MOSFET 2 N-Kanal 2.0 W SO-8
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
MOSFET
Kapsling
SO-8
Utförande
N-Kanal
Prestanda (max) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.2 Ω
Datablad (PDF)
43 Styck
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
5
-
11,02878 kr
15
8% = 0,89 kr
10,14096 kr
25
11% = 1,24 kr
9,78583 kr
50
13% = 1,48 kr
9,54982 kr
100
16% = 1,75 kr
9,28292 kr
200
19% = 2,04 kr
8,98735 kr
500
21% = 2,37 kr
8,66200 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Minsta beställningsvolym:: 5
Toal (11,02878 kr / stycken)
55,14 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
MOSFET
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
IRF7103PBF-GURT
- Typ av produkt
MOSFET
- Kapsling
SO-8
- tillverkargaranti
Infineon Technologies
- Utförande
N-Kanal
- Prestanda (max) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.2 Ω
- Monteringssätt
Ytmontering
- Kanaler
2
- Innehåll
1 st
- UKCA
Ja
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 3026234 Infineon Technologies IRF7103PBF-GURT MOSFET 2 N-Kanal 2.0 W SO-8
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 3026234 Infineon Technologies IRF7103PBF-GURT MOSFET 2 N-Kanal 2.0 W SO-8