Liknande avbildning
Liknande avbildning
Infineon Technologies IRF3415PBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
MOSFET
Kapsling
TO-220
Utförande
N-Kanal
Prestanda (max) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
42 mΩ
Datablad (PDF)
530 Styck
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
10
-
22,32 kr
30
7% = 1,67 kr
20,65 kr
50
10% = 2,34 kr
19,98 kr
100
12% = 2,78 kr
19,54 kr
200
15% = 3,28 kr
19,04 kr
400
17% = 3,84 kr
18,48 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Minsta beställningsvolym:: 10
Intervaller: 10
Toal (22,32 kr / stycken)
223,20 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
MOSFET (HEXFET / FETKY)
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
IRF3415PBF
- Typ av produkt
MOSFET
- Kapsling
TO-220
- tillverkargaranti
Infineon Technologies
- Tillv. -förk.
INF
- Utförande
N-Kanal
- I(d)
43 A
- UBR DSS
150 V
- Prestanda (max) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
42 mΩ
- R(DS)(on) referensström
22 A
- R(DS)(on) referensspänning
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) referensström max.
250 µA
- Q(G)
200 nC
- Q(G) referensspänning
10 V
- C(ISS)
2400 pF
- C(ISS) referensspänning
25 V
- Driftstemperatur (Min)
-55 °C
- Monteringssätt
Genomföringshål
- Serie
HEXFET®
- Driftstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor egenskaper
Standard
- U(DSS)
150 V
- Kanaler
1
- Innehåll
1 st
- Utförande
N-kanal
- Typ
IRF3415
- Beskrivning
150 V/43 A
- Hölje
TO-220
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 162384 Infineon Technologies IRF3415PBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 162384 Infineon Technologies IRF3415PBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220