Liknande avbildning
Liknande avbildning
Infineon Technologies HF-Transistor (BJT) BFR193 TO-236-3 Antal kanaler 1 NPN
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
HF-Transistor (BJT)
Kapsling
TO-236-3
Utförande
NPN
Kollektorström I (C)
80 mA
Kollektor-emitterspänning U(CEO)
12 V
Datablad (PDF)
2248 Styck
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
15
-
1,98 kr
45
9% = 0,18 kr
1,80 kr
75
13% = 0,25 kr
1,73 kr
150
15% = 0,30 kr
1,68 kr
300
18% = 0,35 kr
1,63 kr
600
21% = 0,41 kr
1,57 kr
1500
24% = 0,48 kr
1,50 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Minsta beställningsvolym:: 15
Toal (1,98 kr / stycken)
2,90 kr
-32 %
29,70 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
NPN-Wideband-Transistor
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
BFR193
- Typ av produkt
HF-Transistor (BJT)
- Kapsling
TO-236-3
- tillverkargaranti
Infineon Technologies
- Tillv. -förk.
INF
- Kanaler
1
- Utförande
NPN
- Kollektorström I (C)
80 mA
- Kollektor-emitterspänning U(CEO)
12 V
- Prestanda (max) P(TOT)
580 mW
- DC Strömförstärkning (hFE)
70
- DC Strömförstärkning hFE - referensström
30 mA
- DC Strömförstärkning hFE - referensspänning
8 V
- Övergångsfrekvens f(T)
8 GHz
- Brusfaktor F (min.)
1 dB
- Brusfaktor F (max.)
1.6 dB
- Monteringssätt
Ytmontering
- Innehåll
1 st
- Utförande
NPN
- Typ
BFR193
- Hölje
SOT-23
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 153241 Infineon Technologies HF-Transistor (BJT) BFR193 TO-236-3 Antal kanaler 1 NPN
Beskrivning
NPN-Wideband-Transistor (8 mm-band).