Liknande avbildning
Liknande avbildning
Infineon Technologies HF-Transistor (BJT) BFR181W SOT-323 Antal kanaler 1 NPN
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
HF-Transistor (BJT)
Kapsling
SOT-323
Utförande
NPN
Kollektorström I (C)
20 mA
Kollektor-emitterspänning U(CEO)
12 V
Datablad (PDF)
322 Styck (Bara så länge lagret räcker)
Antal
Toal (1,96 kr / stycken)
1,96 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
NPN-Wideband-Transistor
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
BFR181W
- Typ av produkt
HF-Transistor (BJT)
- Kapsling
SOT-323
- tillverkargaranti
Infineon Technologies
- Tillv. -förk.
INF
- Kanaler
1
- Utförande
NPN
- Kollektorström I (C)
20 mA
- Kollektor-emitterspänning U(CEO)
12 V
- Prestanda (max) P(TOT)
175 mW
- DC Strömförstärkning (hFE)
70
- DC Strömförstärkning hFE - referensström
5 mA
- DC Strömförstärkning hFE - referensspänning
8 V
- Övergångsfrekvens f(T)
8 GHz
- Brusfaktor F (min.)
0.9 dB
- Brusfaktor F (max.)
1.2 dB
- Monteringssätt
Ytmontering
- Innehåll
1 st
- Utförande
NPN
- Typ
BFR181W
- Hölje
SOT-323
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 153228 Infineon Technologies HF-Transistor (BJT) BFR181W SOT-323 Antal kanaler 1 NPN
Beskrivning
NPN-Wideband-Transistor (8 mm-band).