Liknande avbildning
Liknande avbildning
Infineon Technologies BSS139 MOSFET 1 N-Kanal 360 mW TO-236-3
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
MOSFET
Kapsling
TO-236-3
Utförande
N-Kanal
Prestanda (max) P(TOT)
360 mW
R(DS)(on)
14 Ω
Datablad (PDF)
2218 Styck (Bara så länge lagret räcker)
Antal
Toal (1,04 kr / stycken)
6,13 kr
-83 %
1,04 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
Småsignal-Transistor
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ
BSS139
- Typ av produkt
MOSFET
- Kapsling
TO-236-3
- tillverkargaranti
Infineon Technologies
- Tillv. -förk.
INF
- Utförande
N-Kanal
- I(d)
100 mA
- UBR DSS
250 V
- Prestanda (max) P(TOT)
360 mW
- R(DS)(on)
14 Ω
- R(DS)(on) referensström
0.1 mA
- R(DS)(on) referensspänning
10 V
- U(GS)(th) max.
1 V
- U(GS)(th) referensström max.
56 µA
- Q(G)
3.5 nC
- Q(G) referensspänning
5 V
- C(ISS)
76 pF
- C(ISS) referensspänning
25 V
- Driftstemperatur (Min)
-55 °C
- Monteringssätt
Ytmontering
- Serie
SIPMOS®
- Driftstemperatur (max.)
+150 °C
- Transistor egenskaper
Deleption Mode
- U(DSS)
250 V
- Kanaler
1
- Innehåll
1 st
- Utförande
N-kanal
- Typ
BSS139
- Hölje
SOT-23
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 152941 Infineon Technologies BSS139 MOSFET 1 N-Kanal 360 mW TO-236-3
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 152941 Infineon Technologies BSS139 MOSFET 1 N-Kanal 360 mW TO-236-3
Beskrivning
N-Kanal-Utarmningstyp